由于制造工藝的種種局限性，所有IC的輸入電壓都會(huì)受到限制。當(dāng)人們?cè)噲D用一個(gè)DC/DC變換器（如線性穩(wěn)壓器）來把很高的電源電壓降到較低的穩(wěn)定電壓時(shí)，這一局限性就會(huì)帶來麻煩。在線性穩(wěn)壓器的輸入端加接一只FET（效場(chǎng)應(yīng)管）就能使DC/DC變換器的輸入電壓范圍比單單使用穩(wěn)壓器的大。但是這樣一來，F(xiàn)ET要承受過大的電壓和功耗。
　　圖1示出了一只IRF7601型n溝道MOSFET加接在TPS79228型2.8V、100mA低壓差穩(wěn)壓器的輸入端上。該穩(wěn)壓器噪聲小、電源抑制比高。R₁和R₂為MOSFET的柵極提供偏壓，負(fù)載電流決定了MOSFET的源極電壓。（換言之，調(diào)節(jié)FET的導(dǎo)通電阻就可提供負(fù)載電流。）在本例中，電源電壓為15V，而TPS79228的推薦工作輸入電壓為5.5V，所以，本設(shè)計(jì)使用一只擊穿電壓為20V的MOSFET。
　　為了確定MOSFET柵極的偏壓，人們需要使用該MOSFET的漏極電流IP對(duì)柵極一源極電壓VGS數(shù)據(jù)表曲線。IRF7601的這種數(shù)據(jù)表曲線表明，該器件要達(dá)到100mA的輸出電流，其VGS必須略低于1.5V。因?yàn)榉€(wěn)壓器的壓差電壓在輸出電流為100mA時(shí)為10 0mV，所以穩(wěn)壓器的輸入電壓必須高于2.9V。因此，加在MOSFET柵極上的偏壓至少應(yīng)為1.5V+2.9V=4.4V。這樣一來，當(dāng)MOSFET輸出100mA電流時(shí)，其源極電壓就不會(huì)降到2.9V以下。其柵極偏壓就是推薦的工作電壓，即5.5V。這一電壓對(duì)柵極的驅(qū)動(dòng)綽綽有余，足以在關(guān)機(jī)模式期間提供穩(wěn)壓器的1μA靜態(tài)電流。雖然能夠在4.4V和5.5V之間對(duì)柵極進(jìn)行偏置，但本設(shè)計(jì)根據(jù)閾值電壓的變化，使用了5V偏壓。該MOSFET的功耗為100 mA×（15V-2.9V）=1.21W。采用Micro8 引腳封裝的IRF7601可在55℃的環(huán)境溫度不承受這樣大的功耗。
　　圖2所示電路略為復(fù)雜一些，但在輸入電壓變化很大時(shí)這種略為復(fù)雜的電路是必不可少的。齊納二極管代替了圖1中的R2，從而為MOSFET提供了固定不變的柵極驅(qū)動(dòng)。選擇齊納二極管輸出電壓的方法與上面所述的相同。圖1和圖2所示的兩種電路都能令人滿意地使DC/DC變換器的輸入電壓范圍都比變換器IC本身的大。這種單MOSFET解決方案是簡單而又廉價(jià)的方案。當(dāng)電源未經(jīng)穩(wěn)壓時(shí)，用齊納二極管來加偏壓的MOSFET則是的選擇。

　　圖1 可用一只MOSFET開關(guān)來擴(kuò)大低壓差穩(wěn)壓器的輸入電壓范圍。
　　圖2 當(dāng)輸入電壓變化很大時(shí)，齊納二極管可為MOSFET提供固定不變的柵極驅(qū)動(dòng)。