隨著便攜式電子產(chǎn)品的多功能化，其對供電要求的多樣化越來越突出，同時便攜式產(chǎn)品也對整機的體積提出了越來越苛刻的要求，相應(yīng)地對這類產(chǎn)品的電源管理芯片也提出了封裝體積小、多種電源變換為一體的要求。各種電源管理芯片廠家在這種情況下，陸續(xù)推出了相應(yīng)產(chǎn)品。本文以Ricoh公司R5210x系列DC-DC/LDO/Reset復(fù)合電路為例，介紹此類芯片的情況。

　　R5210x系列是以CMOS制程為基礎(chǔ)制作的一款多電源管理芯片。在SOT-23-6包封內(nèi)整合了一個具有輸出電壓范圍為1.5~3.3V，輸出電流能力為500mA的DC-DC降壓器，一個輸出電壓范圍為2.5~3.6V，輸出電流能力為200mA的LDO，在輸出電流為100mA時，其允許壓差低達(dá)0.2V，同時也整合了一個輸出電壓范圍為3.0~4.5V、可由客戶指定輸出電壓值的電壓檢測器（復(fù)位器）。為節(jié)省使用成本，R5210x只需很少的外圍器件即可構(gòu)成完整的功能。

　　片內(nèi)DC-DC降壓器的振蕩頻率為800kHz，該頻率提供了開關(guān)損耗和更小外接電感器之前的折衷。在現(xiàn)代MOS工藝下，振蕩頻率如果超過1MHz，則MOS管基極電容損耗將會變得很大，會影響到小功率輸出時的整個DC-DC轉(zhuǎn)換效率，但如果振蕩頻率過低,也會導(dǎo)致輸出電感器的體積增大。試驗證明,在500kHz~1MHz之間的振蕩頻率在目前的工藝下輸出中等功率，具性價比。R5210x的功率MOS管內(nèi)置方式DC-DC為用戶節(jié)省了外接MOS管，使用戶的使用成本下降，且片內(nèi)功率MOS管的導(dǎo)通電阻低達(dá)0.4Ω，使得所構(gòu)成的DC-DC降壓器具有近90%的轉(zhuǎn)換效率。

　　片內(nèi)所包含的LDO部分，在輸出電壓3.3V左右時，其輸出電流高達(dá)250mA以上（標(biāo)稱值為200mA）。在300mA左右時具有過流保護(hù)能力，其保護(hù)曲線呈撇形，即輸出電壓與輸出電流同時減小，從而達(dá)到將片上損耗控制在安全區(qū)內(nèi)的目的。該保護(hù)電路當(dāng)負(fù)載大幅度變化時，芯片仍可工作于安全區(qū)，大大提高了芯片的耐受沖擊能力。

　　片內(nèi)低壓檢測芯片，允許用戶在構(gòu)成系統(tǒng)時，以高于3%的得到片內(nèi)附帶延時輸出的電壓檢測器。