IR MOSFET及控制芯片組方案
出處:zhangb4262 發(fā)布于:2007-04-29 10:52:10
國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)推出芯片組解決方案,適用于多元化的通用電信輸入(36V至75V)及48V固定輸入系統(tǒng)。
新芯片組專為隔離式或非隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用而設(shè)計,可提升系統(tǒng)層面的電源性能,如220W以下系統(tǒng)主機板的大型48V轉(zhuǎn)換,或用以驅(qū)動基站系統(tǒng)的無線電放大器。
IR2086S 控制器集成電路采用初級全橋布置,可簡化隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器電路。它特別針對總線轉(zhuǎn)換器應(yīng)用進行優(yōu)化,并采用自振式50% 固定工作周期。相比于業(yè)界標準的四分之一磚設(shè)計,該芯片組能有效節(jié)省多達50% 的電路板空間,并可減少60% 的組件數(shù)目。
IR2086S設(shè)有一個集成軟啟動電容器,能在2,000余個周期內(nèi)把工作周期逐步增加至50%,以限制在啟動階段輸入的電流;同時在整個啟動過程中為全橋的高、低端MOSFET保持相同的脈沖寬度。
新器件的其它特點包括自恢復(fù)電流限制保護、(1.2A柵驅(qū)動電流及50 - 200毫微秒的可調(diào)停滯時間以抗衡擊穿電流、達500kHz的可編程開關(guān)頻率。
設(shè)計師可從100V IRF6644或IRF6655、40V IRF6613或IRF6614四種DirectFET MOSFET選擇所需產(chǎn)品,組成完整的芯片組。這些MOSFET采用IR技術(shù)及DirectFET封裝,能大幅優(yōu)化導(dǎo)通電阻、柵電荷等重要器件指標。
由于器件溫度更低,因此無需在初級部分添加并行器件,即可滿足更高電流要求。整體而言,IRF6644可提升約46% 輸出功率,并有助于平衡轉(zhuǎn)換器初級和次級部分的溫度。相比類似電氣參數(shù)的其它方案,IRF6644的導(dǎo)通電阻降低了約48%。
IRF6644的組合式導(dǎo)通電阻與柵電荷的主要指標 優(yōu)于同類方案45%。其導(dǎo)通電阻與兩個傳統(tǒng)元件的并聯(lián)效果相當。在一些特定的輸入輸出電壓比要求下,次級同步整流布置結(jié)構(gòu)可采用IR 40V IRF6613 DirectFET MOSFET,較30V器件可提供33%的電壓裕量,而效率則相差不到1%。
上述新器件現(xiàn)已投入供應(yīng)。
21IC器件搜索
https://www.21icsearch.com
版權(quán)與免責聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng),轉(zhuǎn)載請必須注明維庫電子市場網(wǎng),http://m.58mhw.cn,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點或證實其內(nèi)容的真實性,不承擔此類作品侵權(quán)行為的直接責任及連帶責任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負版權(quán)等法律責任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 工業(yè)視覺檢測系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)與選型運維指南2026/1/4 14:50:21
- 工業(yè)視覺檢測系統(tǒng)核心知識解析2025/12/29 11:23:21
- 工業(yè)級電磁閥技術(shù)參數(shù)與選型運維指南2025/12/29 11:06:44
- 工業(yè)控制系統(tǒng)遠程訪問安全實操指南2025/12/25 10:04:23
- 工業(yè)控制系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)安全防護實操指南2025/12/25 9:53:54









