IR DirectFET MOSFET芯片組
出處:wyj157 發(fā)布于:2007-04-29 10:50:23
國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)近日推出兩款新型的30V DirectFET MOSFET同步降壓轉(zhuǎn)換器芯片組。新品適用于安裝了款I(lǐng)ntel和AMD處理器的筆記本電腦設(shè)計(jì),滿足其更小體積、更高效率和良好散熱的要求。
新品的每一款芯片組都包含一個(gè)控制MOSFET和一個(gè)同步MOSFET,而每個(gè)器件都經(jīng)過特別設(shè)計(jì),在同步DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器電路中發(fā)揮性能??刂芃OSFET具有更低的開關(guān)損耗,同步MOSFET的傳導(dǎo)損耗更低(低導(dǎo)通電阻),逆向恢復(fù)電荷也很低。
其中一款芯片組包含IRF6617控制場效應(yīng)管和IRF6611同步場效應(yīng)管,能在高密度、空間有限的電路板中達(dá)到的性能,每個(gè)功率通道可達(dá)20A。另一款芯片組則包含IRF6637控制場效應(yīng)管和IRF6678同步場效應(yīng)管,適用于每個(gè)功率通道高于20A的應(yīng)用,可有效提升熱性能。
IRF6617控制場效應(yīng)管采用小罐(ST)DirectFET封裝,IRF6637控制場效應(yīng)管則采用中罐(MP)DirectFET封裝。為了方便修改現(xiàn)有設(shè)計(jì),兩款同步場效應(yīng)管都采用中罐(MX)DirectFET封裝,可以輕松地將IRF6611替換為IRF6678,滿足更大電流和散熱性能的需求。
新的芯片組有助于電路設(shè)計(jì)人員縮減高頻、大電流DC-DC轉(zhuǎn)換器的體積。這些轉(zhuǎn)換器適用于電腦和服務(wù)器,以及先進(jìn)的電信和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)。
IR的DirectFET MOSFET封裝已經(jīng)獲得了,其中匯集了一系列標(biāo)準(zhǔn)塑料分立封裝不具備的設(shè)計(jì)優(yōu)點(diǎn)。金屬腔構(gòu)造能發(fā)揮雙面冷卻功能,把用以驅(qū)動先進(jìn)微處理器的高頻DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理效率增加一倍。此外,采用DirectFET封裝的器件均不含鉛和溴化物。
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