Renesas發(fā)布5W高頻功率MOSFET
出處:lai832 發(fā)布于:2007-04-29 10:50:23
瑞薩科技公司宣布推出包括5 W輸出RQA0002在內(nèi)的三種高頻功率MOSFET,用于手持式無線電設(shè)備及類似設(shè)備中的傳輸功率放大,通過使用新工藝和新封裝,實(shí)現(xiàn)了高效率*1、并大大減小了封裝的尺寸。
在2005年5月,將在日本開始無線電天線1 W輸出RQA0001的批量生產(chǎn),在7月份開始5 W 輸出RQA0002的批量生產(chǎn),在4月22日開始3 W 輸出RQA0003的批量生產(chǎn)。
這些新產(chǎn)品的主要特性如下。
(1) 在低電壓下實(shí)現(xiàn)高效率
由于大多數(shù)商用和休閑用無線電設(shè)備是手持式的,要求高頻功率MOSFET提供適合電池驅(qū)動(dòng)和高效率的低壓操作,使通信時(shí)間可以延長。通過使用新工藝,這三種產(chǎn)品在3.6 V-7.5 V的低壓操作下實(shí)現(xiàn)了高效率。尤其是RQA0002,可以提供5 W輸出下的業(yè)界效率水平,功率附加效率是68% (7.5 V工作電壓和520 MHz頻率下)。與瑞薩科技先前的12 V下工作的產(chǎn)品相比,功率附加效率增加了大約4%,同時(shí)降低了電壓,并實(shí)現(xiàn)了高達(dá)9 W的輸出功率。
(2) 小型、薄型、無引線、無鉛封裝
我們已經(jīng)開發(fā)出兩種具有很好散熱特性的小型、薄型封裝,以滿足更小、更薄手持式設(shè)備的需要。WSON0504-2的尺寸為5.0 mm × 4.0 mm 、厚度為0.8 mm (值) ,它的 (瑞薩科技的封裝代碼) 的安裝面積比瑞薩科技目前的RP8P (瑞薩科技的封裝代碼) 封裝約減小了31%,厚度小了大約46% 。RQA0002通過使用這種封裝,成為了業(yè)界、薄的5 W輸出高頻功率MOSFET。RQA0001 和RQA0003使用尺寸為3.0 mm × 3.0 mm、厚度為0.8 mm (值) 的WSON0303-2 (瑞薩科技的封裝代碼) ,與目前的UPAK (瑞薩科技的封裝代碼) 封裝相比,安裝面積約減小了53%、厚度約減小了50%。
WSON0504-2和WSON0303-2是無引線型封裝,將電接地和散熱結(jié)合起來,并且是綠色環(huán)保的完全無鉛結(jié)構(gòu)。
這三種產(chǎn)品系列可以用于不同的天線輸出,與具有不同無線電規(guī)則的各國商用和休閑用無線電設(shè)備兼容。
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