當(dāng)模擬芯片設(shè)計(jì)師在其器件中采用絕 緣體上硅（SOI）襯底時(shí)，常常是為了擴(kuò)充這些器件的高速性能。當(dāng)您在位于（通常是）硅氧化物的某一深層之上的硅層中，而不是直接在晶圓的塊硅上制造硅電路時(shí)，就可以減少或去除許多寄生元件，這些寄生元件是后一工藝的必然結(jié)果。憑借其面向運(yùn)算放大器的VIP50工藝，NS正在另一個(gè)領(lǐng)域中利用上述好處，即采用SOI結(jié)構(gòu)來(lái)制造精密放大器。該公司對(duì)“精密”一詞的經(jīng)驗(yàn)型定義是：在規(guī)定溫度范圍內(nèi)的失調(diào)電壓低于1mV。VIP50具有互補(bǔ)的4GHz PNP和NPN晶體管；一條直達(dá)SOI晶圓的SiO₂層的溝道對(duì)每個(gè)有源器件都進(jìn)行了完全的電絕緣。除了大幅度地降低噪聲和串?dāng)_之外，該結(jié)構(gòu)還除去了會(huì)引起閉鎖的寄生晶體管。VIP50可在12V的電壓條件下工作，并采用分離型電源，以實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單的偏置。該工藝支持可利用激光進(jìn)行修整的精密電阻器，并采用了嚴(yán)密匹配、無(wú)電壓系數(shù)效應(yīng)的隔離電阻器。NS放大器產(chǎn)品組副總裁Erroll Dietz把這種工藝稱為“模擬級(jí)CMOS”，并指出，它具有很低的1/f噪聲，因而可在非常低的頻率條件下（接近DC）實(shí)現(xiàn)更高的準(zhǔn)確度。

　　該公司將采用相應(yīng)工藝來(lái)制造幾個(gè)運(yùn)算放大器子系列、工作電流低于1mA的超低功耗放大器和比較器芯片以及針對(duì)2.7V~12V電壓范圍的精密器件。用于儀表前端的LMP7711便是一個(gè)實(shí)例。它具有200mV的失調(diào)電壓，可在低至1.8V的電壓條件下工作，提供了95dB的CMRR和100dB的PSRR，并在400Hz的頻率條件下具有7nV/√Hz的噪聲。在電流消耗剛剛超過(guò)1mA的情況下，其增益帶寬乘積達(dá)到了17MHz。