晶體準備
出處：pigjiang 發(fā)布于：2007-04-29 10:16:48
截斷
晶體從單晶爐里出來以后，到終的晶圓會經(jīng)歷一系列的步驟。部是用鋸子截掉頭尾。
直徑滾磨
在晶體生長過程中，整個晶體長度中直徑有偏差（圖3.14）。晶圓制造過程有各種各樣的晶圓固定器和自動設(shè)備，需要嚴格的直徑控制以減少晶圓翹曲和破碎。
直徑滾磨是在一個無中心的滾磨機上進行的機械操作。機器滾磨晶體到合適的直徑，無需用一個固定的中心點夾持晶體在車床型的滾磨機上。
晶體定向，電導(dǎo)率和電阻率檢查
在晶體提交到下一步晶體準備前，必須要確定晶體是否達到定向和電阻率的規(guī)格要求。
晶體定向（圖3.15）是由X射線衍射或平行光衍射來確定的。在兩種方法中，晶體的一端都要被腐蝕或拋光以去除損傷層。下一步晶體被安放在衍射儀上，X射線或平行光反射晶體表面到成像板（X射線）或成像屏（平行光）。在成像板或成像屏上的圖案顯示晶體的晶面（晶向）。在圖3.15顯示的圖案代表<100>晶向。
許多晶體生長時有意偏離重要的<100>和<100>晶面一點角度。這些偏晶向在晶圓制造過程中會帶來很多好處，特別是在離子注入工藝中，原因會在工藝應(yīng)用章中涉及到。
晶棒粘放在一個切割塊上來保證晶圓從晶體正確的晶向切割。
由于晶體是經(jīng)過摻雜的，一個重要的電學(xué)性能檢查是導(dǎo)電類型（N或P）來保證使用了正確的摻雜物。熱點探測儀連接到極性儀用來在晶體中產(chǎn)生空穴或電子（和類型相關(guān)），在極性儀上顯示導(dǎo)電類型。
進入晶體的摻雜物的數(shù)量由電阻率測量來確定，使用四探針儀。見13章此測量技術(shù)的描述。在第2章（圖2.7）講到的曲線表示了電阻率和N型P型硅摻雜含量的關(guān)系。
由于在晶體生長工藝中摻雜量的變異，電阻率要延著晶體的軸向測量。這種變異導(dǎo)致晶圓進入幾個電阻率規(guī)格范圍。在后面的工序，晶圓將根據(jù)電阻率范圍分組來達到客戶的規(guī)格要求。
晶體從單晶爐里出來以后，到終的晶圓會經(jīng)歷一系列的步驟。部是用鋸子截掉頭尾。
直徑滾磨
在晶體生長過程中，整個晶體長度中直徑有偏差（圖3.14）。晶圓制造過程有各種各樣的晶圓固定器和自動設(shè)備，需要嚴格的直徑控制以減少晶圓翹曲和破碎。
直徑滾磨是在一個無中心的滾磨機上進行的機械操作。機器滾磨晶體到合適的直徑，無需用一個固定的中心點夾持晶體在車床型的滾磨機上。
晶體定向，電導(dǎo)率和電阻率檢查
在晶體提交到下一步晶體準備前，必須要確定晶體是否達到定向和電阻率的規(guī)格要求。
晶體定向（圖3.15）是由X射線衍射或平行光衍射來確定的。在兩種方法中，晶體的一端都要被腐蝕或拋光以去除損傷層。下一步晶體被安放在衍射儀上，X射線或平行光反射晶體表面到成像板（X射線）或成像屏（平行光）。在成像板或成像屏上的圖案顯示晶體的晶面（晶向）。在圖3.15顯示的圖案代表<100>晶向。
許多晶體生長時有意偏離重要的<100>和<100>晶面一點角度。這些偏晶向在晶圓制造過程中會帶來很多好處，特別是在離子注入工藝中，原因會在工藝應(yīng)用章中涉及到。
晶棒粘放在一個切割塊上來保證晶圓從晶體正確的晶向切割。
由于晶體是經(jīng)過摻雜的，一個重要的電學(xué)性能檢查是導(dǎo)電類型（N或P）來保證使用了正確的摻雜物。熱點探測儀連接到極性儀用來在晶體中產(chǎn)生空穴或電子（和類型相關(guān)），在極性儀上顯示導(dǎo)電類型。
進入晶體的摻雜物的數(shù)量由電阻率測量來確定，使用四探針儀。見13章此測量技術(shù)的描述。在第2章（圖2.7）講到的曲線表示了電阻率和N型P型硅摻雜含量的關(guān)系。
由于在晶體生長工藝中摻雜量的變異，電阻率要延著晶體的軸向測量。這種變異導(dǎo)致晶圓進入幾個電阻率規(guī)格范圍。在后面的工序，晶圓將根據(jù)電阻率范圍分組來達到客戶的規(guī)格要求。
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