累積晶圓生產(chǎn)良品率
出處：edanzg 發(fā)布于：2007-04-29 10:15:33
晶圓廠CUM良率用一個(gè)百分比來表示，可通過兩種不同的計(jì)算方法得到。一種是用完成生產(chǎn)的晶圓總數(shù)除以總投入片數(shù)。這種簡單的計(jì)算方法在實(shí)際上很少被使用。因?yàn)榇蟛糠值木A生產(chǎn)線同時(shí)生產(chǎn)多種不同類型的電路。不同類型的電路有不同的特征工藝尺寸和密度參數(shù)。一條晶圓生產(chǎn)線經(jīng)常是生產(chǎn)一系列不同的產(chǎn)品，每一種產(chǎn)品都有其各自不同數(shù)量的工藝步驟和難度水平。在這種情況下，將會針對每一類產(chǎn)品計(jì)算一個(gè)合成良率。
一條晶圓生產(chǎn)線上會存在有大量制程中的晶圓，這些晶圓的生產(chǎn)周期從4~6周不等。一類或更多類產(chǎn)品在制程中的某些地方受阻滯留，這種情況并非罕見。完成制程的晶圓很少與投入的警員直接對應(yīng)。因此只是簡單地使用投入與產(chǎn)出的晶圓數(shù)很難反映每一種類型電路的真實(shí)良率。
要得到CUM良率，需要首先計(jì)算各制程站良率(station yield),即以離開單一制程站的晶圓數(shù)進(jìn)入此制程的晶圓數(shù)：
制程站良率=離開制程站晶圓數(shù)/進(jìn)入制程站晶圓數(shù)
將各制程站良率依次相乘就可以得到整體的晶圓生產(chǎn)CUM良率：
晶圓生產(chǎn)CUM良率=良率(station-1)*良率(station-2)*...*良率(station-N)
圖6.2列出了一個(gè)11步的晶圓工藝制程，與我們第5章中使用的方法一樣。
No. 工藝步驟 晶圓進(jìn) 良率 晶圓出 累積良率
1 場氧化物 1000 99.5 995 99.5
2 S/D光刻 995 99.0 985 98.5
3 S/D摻雜 985 99.3 978 97.8
4 柵極區(qū)光刻 978 99.0 968 96.8
5 柵極氧化 968 99.5 964 96.4
6 接觸孔光刻 964 94.0 906 90.6
7 金屬層沉積 906 99.2 899 89.9
8 金屬層光刻 899 97.5 876 87.6
9 合金屬層 876 100 976 87.6
10 鈍化層沉積 876 99.5 872 87.2
11 鈍化層光刻 872 98.5 859 85.9
*所列良率數(shù)值為特定工藝的典型數(shù)值
圖6.2 累積(晶圓生產(chǎn))良率計(jì)算
典型的晶圓生產(chǎn)CUM良率在50%到95%之間,取決于一系列的因素,我們接下來對此會做詳細(xì)討論.計(jì)算機(jī)出來的CUM良率被用于計(jì)劃生產(chǎn),或被工程部門和管理者作為工藝有效性的一個(gè)指標(biāo).
下一篇：工藝良品率測量點(diǎn)
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