1 熱生長氧化法

1.1 熱生長氧化方法

1.1.1 干氧氧化法

1.1.2 水汽氧化法

1.1.3 濕氧氧化法

1.2 各種氧化方法的特點

1.2.1干氧氧化法的特點

1.2.2 水汽氧化法的特點

1.2.3 濕氧氧化法的特點

1.3 熱生長氧化機(jī)理

1.3.1 干氧氧化的氧化機(jī)理

1.3.2 水汽氧化的氧化機(jī)理

1.3.3 濕氧氧化的氧化機(jī)理

1.4 熱生長氧化規(guī)律

2 熱分解淀積法

2.1 熱分解淀積氧化的基本方法

2.2 含氧硅化物熱分解淀積法

2.3 硅烷熱分解氧化解淀積法

2.4 低溫?zé)岱纸獾矸e法二氧化硅的生長規(guī)律

2.5 熱分解淀積法的特點

2.5.1 優(yōu)點

2.5.2 缺點及改進(jìn)

課程重點: 本節(jié)介紹了各種氧化方法，重點介紹了常見的熱生長氧化（熱氧化）法和熱分解淀積氧化（低溫淀積、低溫氧化）法。對熱生長氧化，介紹了熱生長氧化（干氧氧化、水汽氧化、濕氧氧化）的各種工藝方法；介紹了各種熱生長氧化（干氧氧化、水汽氧化、濕氧氧化）的氧化速率特點和生成的二氧化硅膜質(zhì)量的特點；介紹了熱生長氧化的氧化機(jī)理（不管何種熱生長氧化在整個熱生長氧化過程中均存在初始氧化和加厚氧化兩個過程）；介紹了熱生長氧化的氧化規(guī)律（在高溫和長時間氧化條件下，符合拋物線規(guī)律）。對熱分解淀積氧化，介紹了熱分解淀積氧化的基本方法（含氧硅化物熱分解淀積法和硅烷熱分解氧化淀積法）；介紹了含氧硅化物熱分解淀積法的含氧硅化物源、介紹了其中四乙烷氧基硅烷的熱分解機(jī)理、四乙烷氧基硅烷的熱分解淀積的設(shè)備及使用條件、介紹了硅烷熱分解氧化淀積法（分解、氧化）生成二氧化硅的機(jī)理、介紹了硅烷熱分解氧化淀積法的優(yōu)缺點、對低溫?zé)岱纸獾矸e法二氧化硅的生長規(guī)律進(jìn)行了討論并給出了生長規(guī)律表達(dá)式、介紹了硅烷熱分解氧化淀積法的優(yōu)缺點。

課程難點：熱生長氧化的各種工藝方法分類及特點。各種熱生長氧化工藝生成的二氧化硅膜的區(qū)別及對器件制造的指導(dǎo)意義，各種熱生長氧化工藝生成二氧化硅膜速度的區(qū)別及對器件制造的指導(dǎo)意義。熱生長氧化的氧化機(jī)理，干氧氧化在整個熱生長氧化過程中存在的初始氧化（氧化反應(yīng)和過程），加厚氧化過程又分為哪兩步（氧氣在二氧化硅中的擴(kuò)散理論和在二氧化硅-硅界面的反應(yīng)理論）；水汽氧化在整個熱生長氧化過程中存在的初始氧化（氧化反應(yīng)和過程），加厚氧化過程又分為哪兩步（水汽在二氧化硅中的擴(kuò)散理論和在二氧化硅-硅界面的反應(yīng)理論）。熱生長氧化的生成膜厚度與氧化時間符合拋物線關(guān)系規(guī)律的條件，該熱生長規(guī)律與理論的對應(yīng)。熱分解淀積氧化的兩種基本方法；含氧硅化物熱分解淀積二氧化硅的基本理論；硅烷熱分解氧化淀積二氧化硅的基本理論；熱分解淀積氧化的生長規(guī)律及對應(yīng)理論；分解淀積氧化的優(yōu)缺點、優(yōu)點在器件制造中可得到的應(yīng)用、對缺點可采取的改善措施。

基本概念：

1 干氧氧化-氧化氣氛為干燥、純凈的氧氣的制備二氧化硅的熱生長氧化過程。

2 水汽氧化-氧化氣氛為純凈水蒸汽的制備二氧化硅的熱生長氧化過程。

3濕氧氧化-氧化氣氛為既有純凈水蒸汽又有純凈氧氣的制備二氧化硅的熱生長氧化過程。

4 熱分解氧化-在分解溫度下，利用化合物分解和重新組合生成二氧化硅，然后使二氧化硅淀積在襯底表面上形成一定厚度的二氧化硅層的方法。

基本要求：要求知道熱生長氧化可分為哪幾種工藝方法。各種工藝的工藝特點是什么，有什么區(qū)別；各種工藝生成二氧化硅膜的結(jié)構(gòu)特點是什么，有什么區(qū)別；各種工藝生成二氧化硅膜時的速度特點是什么，有什么區(qū)別。要求掌握各種熱生長氧化的氧化機(jī)理，其中了解干氧氧化的兩步氧化機(jī)理與水汽氧化的兩步氧化機(jī)理有什么相同處和不同處。要求知道熱生長氧化的生長規(guī)律，清楚熱生長氧化的生成膜厚度與氧化時間符合拋物線關(guān)系規(guī)律的條件及原因。要求熟悉熱分解淀積氧化的兩種較典型的制備二氧化硅膜的方法，知道它們的工藝機(jī)理，了解兩種工藝方法的生長規(guī)律，能夠知道在什么條件下可采用熱分解淀積氧化法制備二氧化硅膜，能夠采取適當(dāng)措施對熱分解淀積氧化法制備的二氧化硅膜松散的缺點進(jìn)行改善。