美國模擬器件公司（ADI）近發(fā)布了一種創(chuàng)新的半導體制造工藝iCMOS，它將高電壓半導體工藝與亞微米CMOS和BiCMOS工藝相結(jié)合，使客戶可以在采用亞微米尺寸工藝的器件上施加高達30V電壓，可選的漏極擴展允許工作電壓高達50V。作為一種亞微米工藝，iCMOS工藝允許現(xiàn)代數(shù)字邏輯電路與高電壓模擬電路集成在一起,因此與以前的高壓器件相比，iCMOS器件提高了性能，增多了集成功能，降低了功耗并且顯著減小了封裝尺寸。
　　據(jù)了解， iCMOS制造工藝的關(guān)鍵是增加柵極氧化層厚度的制造工藝的開發(fā)，從而能夠與傳統(tǒng)的5V電路混合一起制造具有處理高電壓開關(guān)的能力。iCMOS工藝使用電容性陣列來實現(xiàn)片內(nèi)電壓的衰減，所以與傳統(tǒng)的電阻器陣列信號調(diào)理方法相比大大減小了功耗和電路尺寸。本工藝的難點在于需要開發(fā)專用的外延和光刻掩模工藝以實現(xiàn)在不同的配置中無縫地共同工作。這對雙極型晶體管是一個特別大的挑戰(zhàn)，因為雙極型晶體管通常會影響周圍的器件。iCMOS克服了這個問題，且不是以犧牲器件總體性能為代價的。
　　iCMOS工藝還具有用軟件改變輸入電壓范圍或其它參數(shù)的能力。利用這種能力，能將一個特定的iCMOS單元電路集成到各種應(yīng)用中，從而大大了減少標準單元的庫存量并且簡化產(chǎn)品設(shè)計。
　　ADI已經(jīng)采用iCMOS工藝推出一系列產(chǎn)品,見所附表格。
　　網(wǎng)址：www.analog.com/icmos