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一種MCU時(shí)鐘系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

出處:維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng) 發(fā)布于:2023-06-29 16:01:25

摘要:介紹了一個(gè)基于MCU內(nèi)核的時(shí)鐘系統(tǒng)的設(shè)計(jì),給出了其電路結(jié)構(gòu)并詳細(xì)地分析了系統(tǒng)的工作原理。該系統(tǒng)能生成兩相不重疊時(shí)鐘,利用靜態(tài)鎖存器保存動(dòng)態(tài)信息,提供三種電源管理方式以適應(yīng)低功耗應(yīng)用。在上華(CSMC)0.6μm工藝庫(kù)下,利用Cadence EDA工具對(duì)電路進(jìn)行了仿真,仿真結(jié)果驗(yàn)證了設(shè)計(jì)的準(zhǔn)確性。

關(guān)鍵詞:微控制器 時(shí)鐘系統(tǒng) 兩相不重疊時(shí)鐘

時(shí)鐘系統(tǒng)是微控制器(MCU)的一個(gè)重要部分,它產(chǎn)生的時(shí)鐘信號(hào)要貫穿整個(gè)芯片。時(shí)鐘系統(tǒng)設(shè)計(jì)得好壞關(guān)系到芯片能否正常工作。在工作頻率較低的情況下,時(shí)鐘系統(tǒng)可以通過(guò)綜合產(chǎn)生,即用Verilog/VHDL語(yǔ)言描述電路,并用EDA工具進(jìn)行綜合。然而,用工具綜合存在電路性能低、優(yōu)化率不高的問(wèn)題,不適合應(yīng)用在各種高性能微處理器芯片上。而采用人工設(shè)計(jì)邏輯并手工輸入電路圖甚至物理版圖的方式,能使設(shè)計(jì)的電路靈活,性能更好?;谶@些考慮,設(shè)計(jì)了一個(gè)MCU時(shí)鐘系統(tǒng)。

1 基本時(shí)鐘輸入的選擇

CPU核分微處理器(MPU)和微控制器(MCU),兩者的基本時(shí)鐘一般都以單頻方波的形式提供。時(shí)鐘有三種產(chǎn)生方式:

(1)用晶體振蕩器產(chǎn)生而穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào);

(2)用壓控振蕩器產(chǎn)生可調(diào)頻率范圍較寬的時(shí)鐘信號(hào);

(3)結(jié)合以上兩種技術(shù),用壓控振蕩器生成時(shí)鐘信號(hào)。

基本時(shí)鐘信號(hào)的產(chǎn)生可以有芯片外和芯片內(nèi)兩種方法。但是時(shí)鐘信號(hào)必須是穩(wěn)定的信號(hào),對(duì)于穩(wěn)定度要求特別高的場(chǎng)合(如MPU和MCU),采用芯片外提供是必不可少的。故本設(shè)計(jì)采用外接晶振的方法。

2 兩相時(shí)鐘方案

時(shí)鐘技術(shù)是決定和影響電路功耗的主要因素,時(shí)鐘偏差是引起電路競(jìng)爭(zhēng)冒險(xiǎn)的主要原因。為了消除競(jìng)爭(zhēng)、提高頻率、降低功耗,在基本時(shí)鐘方案方面,MPU和MCU一般有三種選擇:?jiǎn)蜗鄷r(shí)鐘、多相時(shí)鐘和沿觸發(fā)方案。在當(dāng)前的設(shè)計(jì)中,沿觸發(fā)方案由于在數(shù)據(jù)傳遞方面有一定困難已很少被使用。單相時(shí)鐘方案因?yàn)樵跁r(shí)序和傳輸上比較簡(jiǎn)單可靠,在所有的方案中使用的晶體管也是少,所以被一些高性能芯片使用,如DEC公司現(xiàn)被HP公司并購(gòu)的Alpha21664微處理器。但是,對(duì)CMOS電路來(lái)說(shuō),采用單相時(shí)鐘就無(wú)法使用動(dòng)態(tài)電路,而且因組合邏輯塊中邏輯元件的速度高低都受到限制而呈現(xiàn)困難。

一個(gè)單相有限狀態(tài)機(jī),圓圈內(nèi)為組合邏輯塊CL。
設(shè)TL+TH=TP,其中TP為時(shí)鐘周期,TH和TL分別為時(shí)鐘高電平和低電平時(shí)間。如果要使時(shí)鐘定時(shí)與數(shù)據(jù)無(wú)關(guān),則長(zhǎng)的傳播延遲必須小于TP,信號(hào)(甚至可能是由于內(nèi)部競(jìng)爭(zhēng)冒險(xiǎn)產(chǎn)生的尖峰所造成的假信號(hào))到達(dá)CL輸出端可能取的短時(shí)間必須大于TH。令τCL代表CL延遲范圍,則:

TH < τCL < TP (1)

(1)式表明,信號(hào)通過(guò)CL的每一個(gè)延遲都必須介于TH和TP之間。正是這種雙邊約束特性使單相時(shí)鐘難以實(shí)現(xiàn)。對(duì)于多相時(shí)鐘,則可以消除這種雙邊約束,而使其轉(zhuǎn)化為單邊約束。所示為采用兩相非重疊時(shí)鐘Φ1和Φ2(Φ1×Φ2=0),對(duì)應(yīng)時(shí)鐘波形示于),T1和T3分別是Φ1和Φ2為高電平時(shí)的時(shí)間,T2是Φ1到Φ2之間電平為低的時(shí)間,T4則是Φ2到Φ1之間電平為低的時(shí)間。當(dāng)Φ2電平變高時(shí)信號(hào)開(kāi)始通過(guò)CL傳輸,并且必須在Φ1電平變低之前結(jié)束。于是得:

τCL<T1+T3+T4 或 τCL<Tp-T2 (2)

其中,Tp=T1+T2+T3+T4

二分頻電路及時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器

這樣就可把雙邊約束(1)式簡(jiǎn)化為單邊約束(2)式了。無(wú)論是有效信號(hào)或是無(wú)效信號(hào),都可以以任意快的速度通過(guò)CL而不會(huì)造成競(jìng)爭(zhēng)。

當(dāng)然,相數(shù)過(guò)多又會(huì)使設(shè)計(jì)復(fù)雜度提高,因此這里選擇了兩相不重疊時(shí)鐘。

3 時(shí)鐘系統(tǒng)邏輯電路設(shè)計(jì)

3.1 兩相不重疊時(shí)鐘產(chǎn)生的方法

兩相不重疊時(shí)鐘產(chǎn)生電路。clk為外部晶振產(chǎn)生的送入MCU的單相時(shí)鐘,I1是MCU內(nèi)部產(chǎn)生的保護(hù)信號(hào),正常工作時(shí)I1為低電平,發(fā)生故障時(shí)如由于噪聲干擾導(dǎo)致PSEN和RD、WR同時(shí)有效的錯(cuò)誤發(fā)生時(shí)I1變成高電平而關(guān)閉時(shí)鐘;當(dāng)系統(tǒng)復(fù)位時(shí),會(huì)使得I1為低電平,恢復(fù)clk的輸入。由于正常情況下PD為低電平,所以clk等同于經(jīng)過(guò)三個(gè)非門(mén)變成圖中的單相輸入信號(hào),加到用“或非”門(mén)交叉而構(gòu)成的R-S觸發(fā)器,單相時(shí)鐘從左邊加到一個(gè)“或非”門(mén)上,反相后加到另一個(gè)“或非”門(mén)上,這樣得到的CK1和CK2是不重疊的。單相時(shí)鐘與雙相時(shí)鐘的對(duì)應(yīng)關(guān)系。

當(dāng)信號(hào)V變成高電平時(shí)(因?yàn)檎9ぷ鲿r(shí)PD一直保持為0),M1管關(guān)斷,信號(hào)就一直保存在靜態(tài)鎖存器中。每當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)變高時(shí),就把靜態(tài)鎖存器的輸出傳給W,使得W一直處于低電平而不影響“或非”門(mén)A1,A1可以簡(jiǎn)化為二輸入。

在時(shí)鐘受到一個(gè)邏輯信號(hào)(也就是門(mén)控時(shí)鐘)控制的情況下,可能會(huì)有一些動(dòng)態(tài)節(jié)點(diǎn)不被刷新。為了避免這種錯(cuò)誤,采用由一個(gè)NMOS控制管M2加兩個(gè)交叉耦合反相器組成靜態(tài)鎖存器。其中反饋管采用的倒比W/L很小(<1),可以作為電平恢復(fù)器件,這樣有利于保存信息。

3.2 二分頻電路

通常把一周期指令的執(zhí)行時(shí)間稱(chēng)為一個(gè)機(jī)器周期,并進(jìn)一步劃分為2~6個(gè)狀態(tài)(高速MCU到標(biāo)準(zhǔn)MCU),每一狀態(tài)有兩相時(shí)鐘,即為兩個(gè)節(jié)拍,每個(gè)節(jié)拍持續(xù)一個(gè)振蕩周期。如何向芯片內(nèi)部提供一個(gè)兩節(jié)拍的時(shí)鐘信號(hào)呢?這就需要二分頻電路對(duì)外部振蕩信號(hào)進(jìn)行分頻,使得在每個(gè)時(shí)鐘的前半周期,節(jié)拍1信號(hào)有效;后半周期,節(jié)拍2信號(hào)有效。

二分頻電路是由兩個(gè)靜態(tài)鎖存器組成的觸發(fā)器。其中CK1和CK2是兩相不重疊時(shí)鐘,當(dāng)CK1=0,CK2=1時(shí),靜態(tài)鎖存器b的輸出經(jīng)過(guò)一個(gè)反相器提供CK3和CK4,使得CK3=0,CK4=1;經(jīng)過(guò)半個(gè)周期后,CK1=1,CK2=0,M4斷開(kāi),低電平信號(hào)存儲(chǔ)在靜態(tài)鎖存器a中,使CK3的值不變,這樣CK3延續(xù)了一個(gè)周期的低電平(高電平),就形成了兩分頻,如此形成的時(shí)鐘信號(hào)周期增加一倍。CK4由CK3經(jīng)過(guò)一個(gè)反相器形成,兩者相位相反。

3.3 時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器及分配

影響時(shí)鐘偏差主要有以下幾個(gè)因素:

·連接時(shí)鐘數(shù)的連線(xiàn);

·時(shí)鐘數(shù)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu);

·時(shí)鐘的驅(qū)動(dòng);

·時(shí)鐘線(xiàn)的負(fù)載;

·時(shí)鐘的上升及下降時(shí)間。

在MCU內(nèi)部,時(shí)鐘信號(hào)要驅(qū)動(dòng)大的負(fù)載,是負(fù)載重的信號(hào),有可能導(dǎo)致電路延時(shí)和時(shí)鐘偏差。消除的方法之一是增強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力。設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)器(二分頻電路除外)所示。初的時(shí)鐘信號(hào)由二分頻電路輸出的CK3和CK4提供。值得注意的是,為了提高翻轉(zhuǎn)速度增加了旁路管,即PMOS晶體管M5、M7和NMOS晶體管M6、M8,而且它們的W/L比要取得足夠大如設(shè)計(jì)的為350/1,這樣就不需要外部附加自舉電容。當(dāng)然為了防止導(dǎo)通電流過(guò)激(di/dt),可以加入電阻起穩(wěn)定作用。該時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器的一個(gè)重要特點(diǎn),就是所產(chǎn)生的兩相不重疊時(shí)鐘的相位與時(shí)鐘負(fù)載無(wú)關(guān),輸出Clk3和Clk4能高到VDD電平和低到地電平。

IDL控制通生CPU內(nèi)部的時(shí)鐘信號(hào)

在MCU內(nèi)部合理分配時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)。通常有兩種方法:線(xiàn)形緩沖和樹(shù)形緩沖??紤]到MCU內(nèi)部時(shí)鐘負(fù)載比較大,采用樹(shù)形緩沖將時(shí)鐘電路分成若干分支。時(shí)鐘分配的各個(gè)分支在各級(jí)之間具有相同的相對(duì)扇出,同時(shí)每個(gè)分支所帶負(fù)載數(shù)目基本相同,因?yàn)椴黄胶獾姆种菚r(shí)鐘歪斜的主要原因。

3.4 低功耗設(shè)計(jì)

低功耗設(shè)計(jì)要求時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)盡量簡(jiǎn)單,晶體管尺寸盡量小,并且應(yīng)盡量減少不必要的電路節(jié)點(diǎn)翻轉(zhuǎn),所以設(shè)計(jì)的MCU一方面要大量采用只有三個(gè)元件組成的靜態(tài)鎖存器;另一方面要有三種工作功率管理模式,即正常、空閑、掉電三種方式,以滿(mǎn)足低功耗方式的應(yīng)用。因此,內(nèi)部所使用的時(shí)鐘分三類(lèi),類(lèi)送入部分控制器和數(shù)據(jù)通道(CPU核),在低功耗方式(空閑)下時(shí)鐘關(guān)閉,Clk5和Clk6;第二類(lèi)用于控制定時(shí)器,如Clk1和Clk2;第三類(lèi)則用于控制中斷電路和串行口的時(shí)鐘,如Clk3和Clk4。后兩類(lèi)不受低功耗方式的限制。

(1)在掉電方式(PD=1)下,時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生器及內(nèi)部所有的功能部件都停止工作。PD=1時(shí),封鎖一個(gè)“與非”門(mén)和一個(gè)“或非”門(mén),使V一直為低電平,輸給R-S觸發(fā)器的單相時(shí)鐘的狀態(tài)被固定,或?yàn)榈碗娖交驗(yàn)楦唠娖?,這樣整個(gè)芯片的時(shí)鐘信號(hào)被凍結(jié)。

(2)在空閑方式(IDL=1)下,時(shí)鐘信號(hào)繼續(xù)提供給中斷邏輯、串行口、定時(shí)器,但CPU 的時(shí)鐘被切斷了。IDL=1時(shí),“或非”門(mén)輸出為低電平,“與非”門(mén)輸出為高電平,通過(guò)時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器使得Clk5=1、Clk6=0,這樣通往CPU的信號(hào)就被凍結(jié)了。

用CSMC 0.6um工藝庫(kù)對(duì)時(shí)鐘電路的邏輯仿真

4 設(shè)計(jì)驗(yàn)證與總結(jié)

構(gòu)成了整個(gè)時(shí)鐘系統(tǒng)。為了對(duì)電路進(jìn)行邏輯仿真,首先在CADENCE 的 Composer-schematic中調(diào)用CSMC 0.6μm標(biāo)準(zhǔn)單元工藝庫(kù),設(shè)置好管子參數(shù),畫(huà)出電路圖。然后進(jìn)入Analog Artist Simulation環(huán)境進(jìn)行參數(shù)較理想化的電路仿真。其中clk的脈寬為0.5μs,周期為1μs,將各種信號(hào)(如PD、IDL)的上升時(shí)間和下降時(shí)間設(shè)置為0.002μs整個(gè)仿真時(shí)間?。保?font face="Arial">μs,參考電壓為5V,得到的仿真結(jié)果??梢钥吹剑桑保剑睍r(shí),通往內(nèi)部的各時(shí)鐘信號(hào)被封鎖;PD=1時(shí),所有時(shí)鐘(Clk1~Clk6)被凍結(jié);而IDL=1時(shí)只有通往CPU的Clk5和Clk6被凍結(jié),因此各信號(hào)滿(mǎn)足設(shè)計(jì)要求。 

關(guān)鍵詞:一種MCU時(shí)鐘系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

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