全橋驅(qū)動(dòng)器芯片UBA2032T/UBA2032TS
出處:赤鑄 發(fā)布于:2007-04-28 03:06:52
摘要:飛利浦公司采用EZ-HV SOI工藝制造的全橋驅(qū)動(dòng)器UBA2032T/TS可用于驅(qū)動(dòng)任何一類負(fù)載,尤其適合于驅(qū)動(dòng)HID燈。文中介紹了UBA2032T/TS的功能特點(diǎn),給出了它的典型應(yīng)用電路。
關(guān)鍵詞:全橋驅(qū)動(dòng)器;高壓IC;UBA2032T/TS;HID燈驅(qū)動(dòng)電路
1 概述
飛利浦公司推出的UBA2032高壓?jiǎn)纹桑檬遣捎茫牛冢龋?SO1工藝制造的一種高壓全橋驅(qū)動(dòng)器。UBA2032在全橋拓?fù)渲型ㄟ^(guò)外部MOSFET可以驅(qū)動(dòng)任何一種負(fù)載,尤其適用于驅(qū)動(dòng)高強(qiáng)度的放電HID燈如高壓鈉燈和金鹵燈換向器等commutator。UBA2032的主要特點(diǎn)如下:
●內(nèi)置自舉二極管和高壓電平移位器;
●橋路電壓可達(dá)550V,并可直接從IC的HV腳輸入高壓,以為內(nèi)部電路產(chǎn)生低工作電壓,而無(wú)需附加低壓電源;
●帶輸入啟動(dòng)延時(shí),可利用簡(jiǎn)單的RC濾波器或來(lái)自處理器的控制信號(hào)產(chǎn)生延遲;
●振蕩器頻率可調(diào)節(jié);
●只要BD腳上電壓超過(guò)橋路截止門限1.29V,所有MOSFET都將被關(guān)斷;
●為保證50%的占空因數(shù),振蕩器信號(hào)在饋送到輸出驅(qū)動(dòng)器之前應(yīng)通過(guò)除法器;
●非交疊non-overlap時(shí)間可由自適應(yīng)非交疊電路控制,非交疊時(shí)間可在內(nèi)部固定;
●采用24腳SO封裝UBA2032T和28腳SSOP封裝UBA2032TS,引腳排列如所示。
UBA2C32T/TS內(nèi)部結(jié)構(gòu)方框圖
2 內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理
2.1 內(nèi)部結(jié)構(gòu)及引腳功能
UBA2032片內(nèi)集成有電壓穩(wěn)壓器、振蕩器、輸入信號(hào)延遲和橋路禁止電路、控制邏輯、高/低壓電平移位器、高端左/右驅(qū)動(dòng)器和低端左/右驅(qū)動(dòng)器等單元電路,所示是其內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖。表1所列是UBA2032的各引腳功能。
表1 UBA2032的引腳功能
| 符 號(hào) | 引 腳 | 功 能 | |
| UBA2032T | UBA2032TS | ||
| -LVS | 1 | 1 | 邏輯輸入負(fù)電源電壓 |
| EXTRD | 2 | 2 | 振蕩器信號(hào)輸入 |
| +LVS | 3 | 3 | 邏輯輸入正電源電壓 |
| n.c | 4,6,16,19,21 | 4,5,7,18,19,22,24,25 | 空腳 |
| HV | 5 | 6 | 內(nèi)部低電源電壓產(chǎn)生引腳 |
| VDD | 7 | 9 | 內(nèi)部低電源電壓 |
| SU | 8 | 10 | 啟動(dòng)延時(shí)輸入信號(hào) |
| DD | 9 | 11 | 除法器禁止控制輸入 |
| BD | 10 | 12 | 橋路禁止控制輸入 |
| RC | 11 | 13 | 內(nèi)部振蕩器RC輸入 |
| SGND | 12 | 14 | 信號(hào)地 |
| GHL | 13 | 15 | 高端左邊MOSFET柵極 |
| FSL | 14 | 16 | 左邊浮置電源電壓 |
| SHL | 15 | 17 | 高端左邊MOSFET源極 |
| GLL | 17 | 20 | 低端左邊MOSFET柵極 |
| PGND | 19 | 21 | 功率地 |
| GLR | 20 | 23 | 低端右邊MOSFET柵極 |
| SHR | 22 | 26 | 高端右邊MOSFET源極 |
| FSR | 23 | 27 | 右邊浮置電源電壓 |
| GHR | 24 | 28 | 高端右邊MOSFET柵極 |
表2 邏輯關(guān)系
| 器件狀態(tài) | 輸入(腳) | 輸出(腳) | ||||||
| BD | SU | DD | EXTDR | GHL | GHR | GLL | GLR | |
| 啟動(dòng) | H | X | X | X | L | L | L | L |
| L | X | X | X | L | L | H | H | |
| 振蕩 | H | X | X | X | L | L | L | L |
| L | L | X | X | L | L | H | H | |
| L | H | H | G | L | H | H | L | |
| L | H | L | L | H | ||||
| L | H | L | L | H | L | L | H | |
| LH | H | L | L | H | ||||
| H | H | L | L | H | ||||
| HL | L | H | H | L | ||||
備注:H為高電平;L為低電平;X表示無(wú)關(guān)
2.2 工作原理
UBA2032既可從HV腳施加電壓以產(chǎn)生內(nèi)部低電源電壓VDD11.5±2V,也可將低壓電源直接連接到VDD腳此情況下HV腳必須連接到腳VDD或SGND。當(dāng)VDD腳或HV腳上的電壓高于釋放功率驅(qū)動(dòng)電平典型值分別為9V和12.5V時(shí),橋路輸出電壓將由EXTDR腳上的控制信號(hào)來(lái)決定。表2列出了IC的狀態(tài)及輸入/輸出之間的邏輯關(guān)系。一旦腳VDD或HV上的電壓降至功率驅(qū)動(dòng)復(fù)位電平分別為6.5V和10V以下,IC將進(jìn)入再次啟動(dòng)狀態(tài)。
當(dāng)腳HV電壓穿越釋放功率驅(qū)動(dòng)電平時(shí),橋路將按照以下兩點(diǎn)確定狀態(tài)換向:
(1)高端左邊和低端右邊MOSFET導(dǎo)通,高端右邊和低端左邊MOSFET截止;
(2)高端左邊和低端右邊MOSFET截止,高端右邊和低端左邊MOSFET導(dǎo)通。
UBA2032可以在三種不同模式下產(chǎn)生振蕩:
種是內(nèi)部振蕩器模式。在該模式下,橋路轉(zhuǎn)換頻率由外部電阻ROSC和電容COSC來(lái)決定。為實(shí)現(xiàn)50%的占空比,內(nèi)部除法器應(yīng)通過(guò)連接腳DD到SGND被賦能同時(shí)腳EXTDR必須與腳+LVS、-LVS和SGND或VDD連接在一起。
第二種是不經(jīng)內(nèi)部除法器的外部振蕩器模式。在該模式下,將腳RC短路到SGND可使內(nèi)部振蕩器截止。當(dāng)外部信號(hào)源連接到腳EXTRD時(shí),橋路頻率將等于外部振蕩器頻率,而不是像內(nèi)部振蕩器模式那樣,橋路頻率為內(nèi)部振蕩器頻率的1/2。
第三種為內(nèi)部除法器的外部振蕩器模式。在該模式時(shí),為使內(nèi)部除法器使能,腳RC、DD和腳SGND必須連接在一起,而此時(shí)全橋輸出頻率為外部振蕩器頻率的1/2,橋路換向則通過(guò)EXTRD腳信號(hào)的下降沿觸發(fā)。
基本應(yīng)用電路
3 應(yīng)用電路
3.1 HID燈基本驅(qū)動(dòng)電路
UBA2032主要是為驅(qū)動(dòng)HID燈而設(shè)計(jì)的,所示是由UBA2032T組成的HID燈全橋驅(qū)動(dòng)電路。在這個(gè)基本應(yīng)用拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,IC的橋路禁止、啟動(dòng)延時(shí)和外部驅(qū)動(dòng)功能均未被利用,IC腳的-LVS、+LVS、EXTDR和BD都短接到SGND。腳DD連接到SGND,內(nèi)部2分頻除法器被使能。由于使用了內(nèi)部振蕩器,橋路換向頻率可由ROSC和COSC的數(shù)值決定:
fbridge=1/Kosc.Rosc.Cosc
式中,常數(shù)Kosc為1.02。當(dāng)IC腳HV上的電壓超過(guò)12.5V(典型值)(時(shí),振蕩器開始工作。一旦腳HV上的電壓降至10V(典型值)以下,那么,UBA2032T將進(jìn)入啟動(dòng)狀態(tài)。
像高壓鈉燈這類HID燈,通常需要3~6kV的高壓脈沖才能使其啟動(dòng)引燃。因此,在全橋驅(qū)動(dòng)器電路中,應(yīng)附加點(diǎn)火啟動(dòng)器電路。在普通熒光燈電子鎮(zhèn)流器中,燈啟動(dòng)通常利用LC串聯(lián)諧振在電容兩端產(chǎn)生一個(gè)1kV以上的高壓施加到燈管上,以使燈管擊穿而點(diǎn)燃。而HID燈啟動(dòng)電路則通常由帶負(fù)阻特性的開關(guān)元件(如硅AC雙向開關(guān))、電容和升壓電感器等元件組成,該電路可用來(lái)產(chǎn)生數(shù)千伏的高壓點(diǎn)火脈沖。
汽車前燈驅(qū)動(dòng)電路
3.2 汽車前燈驅(qū)動(dòng)電路
由于HID燈的使用壽命取決于通過(guò)石英燈管壁的鈉遷移率。因此,為使鈉遷移率化以延長(zhǎng)燈的使用壽命,HID燈可在相對(duì)于系統(tǒng)地的負(fù)電壓下操作。所示是汽車前燈(HID燈)的全橋驅(qū)動(dòng)電路。該電路中的UBA2032TS的腳+LVS和HV與橋路控制電路施加相同的低電源電壓,腳-LVS連接到系統(tǒng)地。以系統(tǒng)地為參考,該橋路可在-450V值的負(fù)電壓下操作,同時(shí)“H”橋的輸出狀態(tài)與IC腳ESTDR上的控制信號(hào)相關(guān)。這樣,在HID燈點(diǎn)火時(shí),電路會(huì)產(chǎn)生一個(gè)非常大的EMC尖峰脈沖,同時(shí)在全橋MOSFET(LL、LR、HR和HL)的柵極上會(huì)產(chǎn)生非常高的瞬態(tài)電壓或振蕩。當(dāng)MOSFET柵極直接與IC內(nèi)的輸出驅(qū)動(dòng)器輸出(腳GHR、GHL、GHL和GLL)直接耦合時(shí),驅(qū)動(dòng)器輸出會(huì)產(chǎn)生電壓過(guò)沖擊。為削弱驅(qū)動(dòng)器輸出的過(guò)應(yīng)力,可在每只MOSFET柵極上串聯(lián)一只值不低于100Ω的電阻,并并聯(lián)一只高速開關(guān)二極管(如IN4148)。
如果每只MOSFET的柵極電荷為QG,那么當(dāng)橋路頻率為fbridge時(shí),4只MOSFET的總柵極電流IG為4fbrigeQG。該電流可由內(nèi)部低壓電源(VDD)來(lái)提供。由于VDD提供的電流被內(nèi)部保護(hù)電路限制在11mA,因此,為了防止電流供應(yīng)不足,設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)附加一個(gè)輔助低壓電源。UBA2032的同類器件還有U-BA2030和UBA2033等。
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