Renesas R8C/Tiny系列16位閃存MCU
出處:ehoosee 發(fā)布于:2007-04-28 10:29:27
瑞薩科技(Renesas)宣布向R8C/Tiny系列增加24個新型號,它們是小型、低管腳數(shù)、高性能16位微控制器,具有片上閃存存儲器。新型號分為6組—48管腳封裝的R8C/20、R8C/21、 R8C/22和R8C/23組、52管腳封裝的R8C/24 和R8C/25組。在2005年6月,將從日本開始20個型號的樣品發(fā)貨,在2005年12月,開始發(fā)售其它四個R8C/24 和R8C/25型號(具有48 或64k字節(jié)片上閃存存儲器)。
在R8C/Tiny系列產(chǎn)品中增加這些產(chǎn)品組,使該系列的應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛,包括汽車和工業(yè)設(shè)備。
這些新產(chǎn)品組提供下面的特性。
(1) 使定時器的運(yùn)行速度提供一倍
先進(jìn)的16位定時器提供達(dá)40 MHz的操作速度,是先前R8C/Tiny系列型號的2倍。操作速度提高了一倍,改善了定時計數(shù)器的分辨率、可以在更高的準(zhǔn)確度下實(shí)現(xiàn)精細(xì)的電動機(jī)控制。
(2) 新型CAN*1和LIN*2接口
CAN和 LIN這些事實(shí)上的業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)新接口為其提供LAN支持。在R8C/22和R8C/23組中,提供CAN接口,在所有的組中有LIN接口,使汽車和工業(yè)產(chǎn)品可以在很低的成本下,提供CAN 和 LIN支持。
(3) 提高了片上閃存存儲器的功能
如果閃存存儲器改寫過程中產(chǎn)生緊急處理中斷,必須給予中斷處理優(yōu)先權(quán)。在新型R8C/Tiny系列產(chǎn)品中,從閃存存儲器改寫轉(zhuǎn)到中斷處理的時間已經(jīng)縮短到少于先前型號的二十分之一,可以即刻轉(zhuǎn)到中斷處理,提高了產(chǎn)品的響應(yīng)、擴(kuò)展了應(yīng)用的范圍。另外,在閃存存儲器的一個區(qū)擦除數(shù)據(jù)時,可以在另一個區(qū)進(jìn)行寫操作。這有助于使用數(shù)據(jù)閃存代替先前使用的外部EEPROM(電可擦除只讀存儲器),數(shù)據(jù)閃存是用于數(shù)據(jù)存儲的片上閃存存儲器。
(4) 高可靠性、大溫度范圍的產(chǎn)品系列,用于汽車應(yīng)用
R8C/20、R8C/21、R8C/22和R8C/23這4個組具有高可靠性、高溫度范圍(-40- 125°C) 的產(chǎn)品,用于汽車應(yīng)用。除了尺寸小外,這些組的有些產(chǎn)品具有片上CAN和/或LIN接口、監(jiān)視定時器、EEPROM和副微控制器,先前它們是單獨(dú)的外部元件,現(xiàn)在可以在單個R8C/Tiny系列芯片中實(shí)現(xiàn),使這些產(chǎn)品非常適用于車體控制和高性能系統(tǒng)副微處理器和監(jiān)視微控制器。
這6組新產(chǎn)品都具有一個R8C CPU 16位CPU,提供不同的特性組合,如下面所示。
(1) R8C/20:48針、沒有數(shù)據(jù)閃存、85°C和125°C型
(2) R8C/21:48 針、數(shù)據(jù)閃存、85°C 和125°C型
(3) R8C/22:48針、沒有數(shù)據(jù)閃存、85°C 和125°C型、CAN接口
(4) R8C/23:48針、數(shù)據(jù)閃存、85°C 和125°C型、CAN接口
(5) R8C/24:52針、沒有數(shù)據(jù)閃存、只有85°C型、32 kHz振蕩電路
(6) R8C/25:52針、數(shù)據(jù)閃存、只有85°C型、32 kHz振蕩電路
所有組中先進(jìn)的16位定時器具有更高的操作速度。一個片上振蕩器可以產(chǎn)生40 MHz的時鐘,從而實(shí)現(xiàn)高速16位定時器操作。因此,與目前產(chǎn)品的20 MHz的定時器操作相比,新產(chǎn)品的定時器計數(shù)器的分辨率提高了一倍,提高了產(chǎn)品的控制,實(shí)現(xiàn)了更高的產(chǎn)品性能。
LAN支持中增加了 CAN和LIN接口。R8C/22和R8C/23 組中提供支持16個信息槽的CAN接口;在所有組中都包括LIN接口。大多數(shù)處理通過硬件進(jìn)行,使用8位定時器通道和UART通道,幾乎排除了軟件處理的工作量。這樣,簡化了支持LAN產(chǎn)品的開發(fā),使這些新型號適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用。
片上閃存存儲器具有改進(jìn)的懸掛功能。與先前的R8C/Tiny系列型號相比,在閃存存儲器編程或擦寫過程中出現(xiàn)中斷時,轉(zhuǎn)到中斷處理的時間縮短了95%。即使在閃存存儲器改寫過程中,也可以即刻轉(zhuǎn)到中斷處理,提高了產(chǎn)品的響應(yīng)。盡管目前閃存存儲器擦寫過程中的電流消耗增加了,在擦寫過程中使用懸掛功能可以使電流變得平緩,從而降低電流消耗??梢栽趯﹂W存存儲器一個區(qū)進(jìn)行擦寫操作時,對另一個區(qū)進(jìn)行編程,可以很容易地代替先前使用的外部EEPROM,數(shù)據(jù)閃存是片上閃存存儲器,可以進(jìn)行1萬次改寫操作。
與目前的型號相比,還提供了大量的其它片上外設(shè)功能,包括高的片上振蕩器和電壓檢測電路。
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處:維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品,版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng),轉(zhuǎn)載請必須注明維庫電子市場網(wǎng),http://m.58mhw.cn,違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性,不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品出處,并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 單片機(jī)技術(shù)特性與嵌入式開發(fā)實(shí)踐指南2026/1/7 10:00:02
- 單片機(jī)(MCU)與數(shù)字信號處理器(DSP)分類及選型技術(shù)指南2025/12/30 10:02:37
- 工業(yè)級DSP信號處理系統(tǒng):硬件適配與抗干擾工程方案2025/12/15 14:41:00
- HOLTEK推出HT32F65533G/733G內(nèi)建N/N預(yù)驅(qū)電機(jī)專用SoC單片機(jī)2025/11/26 14:11:41
- 什么是C51數(shù)據(jù)類型擴(kuò)充定義2025/10/27 13:59:22
- 高速PCB信號完整性(SI)設(shè)計核心實(shí)操規(guī)范
- 鎖相環(huán)(PLL)中的環(huán)路濾波器:參數(shù)計算與穩(wěn)定性分析
- MOSFET反向恢復(fù)特性對系統(tǒng)的影響
- 電源IC在惡劣環(huán)境中的防護(hù)設(shè)計
- 連接器耐腐蝕性能測試方法
- PCB電磁兼容(EMC)設(shè)計與干擾抑制核心實(shí)操規(guī)范
- 用于相位噪聲測量的低通濾波器設(shè)計與本振凈化技術(shù)
- MOSFET在高頻開關(guān)中的EMI問題
- 電源IC在便攜式設(shè)備中的設(shè)計要點(diǎn)
- 連接器結(jié)構(gòu)設(shè)計常見問題分析









