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準(zhǔn)諧振軟開關(guān)控制器IRIS4015的設(shè)計(jì)及應(yīng)用

出處:hui7744 發(fā)布于:2007-04-16 20:17:58

   摘要:IRIS4015是一款專用準(zhǔn)諧振軟開關(guān)控制器,該芯片功能齊全,使用外圍元件少,并具有完善的保護(hù)電路。文中詳細(xì)介紹了該芯片的特點(diǎn)、功能,給出了其典型應(yīng)用電路。

    關(guān)鍵詞:準(zhǔn)諧振;軟開關(guān);反激變換器;IRIS4015

1 概述

IRIS4015是將MOSFET和開關(guān)電源控制器封裝在一起的組合集成電路,主要應(yīng)用于反激式準(zhǔn)諧振變換器。該器件采用5腳SIP或SMD封裝,適用于各類高低壓開關(guān)電源。該器件的靜態(tài)工作電流很低(100μA),具有內(nèi)部軟啟動(dòng)、溫度補(bǔ)償?shù)闹鹈}沖過流保護(hù)OCP、過壓鎖定保護(hù)(OVP)和過熱關(guān)斷保護(hù)(TSD)等功能。

2 引腳功能

IRIS4015的管腳排列如所示。各引腳的功能如表1所列。

3 應(yīng)用電路工作原理

IRIS4015在反激電源中的典型應(yīng)用電路如所示。

3.1 反饋和控制電路

表1 IRIS4015的引腳功能

引腳號(hào) 引腳名 功 能
1 S 內(nèi)部功率MOS管源極引出端
2 GND 芯片地
3 D 內(nèi)部功率MOS管漏極引出端
4 VCC 芯片電源
5 OCP/FB 過流檢測(cè)/輸出電壓反饋端

振蕩器利用IC內(nèi)部的電容C1充放電來產(chǎn)生決定MOSFET關(guān)斷時(shí)間的脈沖信號(hào)。振蕩器的工作過程如所示。當(dāng)MOSFET開通時(shí),內(nèi)部5.6V恒壓源對(duì)電容C1充電,MOSFET的漏極電流ID流經(jīng)R5產(chǎn)生壓降VR5后反饋到OCP/FB腳,以實(shí)現(xiàn)初級(jí)電流控制。當(dāng)OCP/FB腳電壓達(dá)到基準(zhǔn)1(0.73V)時(shí),比較器1翻轉(zhuǎn),MOSFET關(guān)斷,C1結(jié)束充電,并開始恒流放電。當(dāng)C1兩端電壓下降到基準(zhǔn)2(1.2V)時(shí),振蕩器輸出再次反相,MOSFET導(dǎo)通,C1兩端電壓迅速充電到5.6V,MOSFET反復(fù)循環(huán)開關(guān)工作。MOSFET的導(dǎo)通時(shí)間由VR5的斜率決定。同樣,MOSFET的關(guān)斷時(shí)間由C1和恒流放電電路決定。關(guān)斷時(shí)間由內(nèi)部恒流放電電路調(diào)整到約50μs。

    次級(jí)輸出電壓采用電壓型控制。輸出電壓通過光耦在R4兩端產(chǎn)生反饋電壓VR4,反饋電壓與R5兩端降壓VR5之和使比較器1翻轉(zhuǎn)。當(dāng)輸出電壓升高時(shí),OCP/FB腳電壓升高,從而使OCP/FB腳電壓達(dá)到基準(zhǔn)電壓1(0.73V)的時(shí)間縮短,并使MOSFET的導(dǎo)通寬度變窄,以減少反激變壓器存儲(chǔ)的能量使輸出電壓降低。

3.2 過流保護(hù)及正反饋補(bǔ)償

過流保護(hù)電路通過檢測(cè)MOSFET源極和GND之間串聯(lián)電阻R5兩端的電壓,可檢測(cè)MOSFET的漏極電流,該檢測(cè)信號(hào)和VR4之和將反饋到OCP/FB腳并與基準(zhǔn)電壓1(0.73V)比較,以實(shí)現(xiàn)限流功能。

    過流保護(hù)電路動(dòng)作時(shí),輸出過流使輸出電壓下降,同時(shí)輔助繞組的電壓也相應(yīng)下降,當(dāng)Vcc降到UVLO門限電壓以下時(shí),控制器停止工作。輸出電流持續(xù)下降,Vcc電壓因啟動(dòng)電路工作而升到啟動(dòng)電壓,從而使電路間歇性工作。

當(dāng)交流輸入電壓較高時(shí),漏極電流較小,此時(shí)達(dá)到過流保護(hù)時(shí)的輸出功率值將大于低壓輸入時(shí)的輸出功率值。而加入由兩個(gè)電阻和一個(gè)穩(wěn)壓管組成的正反饋補(bǔ)償電路后(如所示),在交流輸入電壓較高時(shí),其總輸出功率變化不大。

加入正反饋補(bǔ)償后,當(dāng)輸入交流電壓較高時(shí),輔助電源在OCP/FB腳產(chǎn)生的偏置電壓會(huì)降低MOS-FET漏極的平均電流。這樣,由于漏極電流減小,初級(jí)繞組漏感引起的反電壓降低,MOSFET兩端承受的電壓減小,同時(shí)也降低了電感電流。因此,加入正反饋補(bǔ)償電路后,輸出功率會(huì)被控制在適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi),同時(shí),次級(jí)側(cè)元件承受的應(yīng)力也不會(huì)過大。

3.3 準(zhǔn)諧振電路分析

給出了各點(diǎn)的波形圖。圖中,諧振電容C3接在MOSFET的漏極和源極之間,它和變壓器的初級(jí)電感構(gòu)成了諧振電路。輔助繞組和OCP/FB腳之間加入C4、D3、D4、R5組成的延遲電路,可在MOS-FET關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生準(zhǔn)諧振信號(hào),并通過比較器1和2使電路工作在準(zhǔn)諧振狀態(tài)。

變壓器能量傳送給次級(jí)繞組后,延遲電路使準(zhǔn)諧振信號(hào)仍維持在OCP/FB腳,而不是立即降落,這是因?yàn)椋茫础ⅲ茫低ㄟ^有源低通濾波器和電阻R6、R7放電所致。經(jīng)過一段延遲時(shí)間后,OCP/FB腳電壓下降到基準(zhǔn)電壓1以下。調(diào)整C4并監(jiān)測(cè)電壓波形,當(dāng)MOSFET的漏源電壓達(dá)到時(shí),電路將產(chǎn)生諧振信號(hào)使MOSFET開通。延遲時(shí)間由C4、C5的放電時(shí)間決定,不加C4時(shí),延遲時(shí)間較短。由于加在OCP/FB腳的電壓為6V,所以準(zhǔn)諧振信號(hào)的幅值不能超過6V。

3.4 鎖定電路

過壓保護(hù)電路和過熱關(guān)斷電路動(dòng)作時(shí),鎖定電路使振蕩器輸出低電平,從而使電源電路停止工作。當(dāng)Vcc為8.5V時(shí),鎖定電路的維持電流為400μA。低溫時(shí),經(jīng)啟動(dòng)電阻流進(jìn)Vcc腳的維持電流需要500μA。為了避免噪音等因素引起誤動(dòng)作,鎖定定時(shí)器將產(chǎn)生一個(gè)延遲時(shí)間,當(dāng)OVP或TSD電路持續(xù)工作8μs或更長(zhǎng)時(shí)間時(shí),鎖定電路才開始動(dòng)作。當(dāng)鎖定電路動(dòng)作后,穩(wěn)壓器仍工作。由于通過啟動(dòng)電阻供給控制器的電流會(huì)超過500μA,從而使啟動(dòng)電阻的壓降增大,所以Vcc電壓下降。當(dāng)Vcc電壓下降到UVLO-門限電壓10V以下時(shí),穩(wěn)壓器停止工作。當(dāng)電路電流低于400μA?xí)r,電壓Vcc開始上升。當(dāng)電壓Vcc上升到UVLO+啟動(dòng)電壓(16V)時(shí),穩(wěn)壓器又開始工作,控制器的電流再次增加,電壓Vcc則再下降。

    鎖定電路工作時(shí),電壓Vcc會(huì)在10V~16V范圍內(nèi)波動(dòng),如所示。而要使鎖定電路復(fù)位,必須切斷輸入電源。

3.5 過壓保護(hù)電路

當(dāng)控制器輸入電壓Vin超過22.5V時(shí),過壓保護(hù)電路將動(dòng)作??刂破鬏斎腚妷海郑椋钣勺儔浩鞯妮o助繞組提供,該電壓與輸出電壓成正比。當(dāng)次級(jí)電壓反饋電路開路或其它原因引起次級(jí)過電壓時(shí),過壓保護(hù)電路也會(huì)啟動(dòng)。過壓保護(hù)動(dòng)作時(shí),次級(jí)輸出電壓可由下式計(jì)算:

Vout=(額定輸出電壓/Vcc正常工作電壓)×22.5V

4 結(jié)語

以IRIS4015為的電源變換器具有成本低、外圍電路簡(jiǎn)單、保護(hù)電路完善等優(yōu)點(diǎn)。且在空載時(shí),電路工作電流很低(100μA)。由于該控制芯片的待機(jī)功耗僅約0.8W,因而十分適用于各種對(duì)待機(jī)功耗要求比較嚴(yán)格的電器設(shè)備。



  
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