IR授權(quán)英飛凌科技使用DirectFET封裝技術(shù)
出處:chunyang 發(fā)布于:2007-12-06 15:05:14
際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 與英飛凌科技股份有限公司 (Infineon Technologies) 共同宣布,后者將獲授權(quán)使用IR的DirectFET先進(jìn)功率管理封裝技術(shù)。
DirectFET 功率封裝是業(yè)界在SO-8或更小占位面積,提供高效上部散熱的表面貼裝功率MOSFET封裝技術(shù),適用于計(jì)算機(jī)、筆記本電腦、電信和消費(fèi)電子設(shè)備的AC-DC及DC-DC功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。與標(biāo)準(zhǔn)塑料分立封裝相比,DirectFET的金屬罐構(gòu)造具有雙面散熱功能,因而可有效將高頻DC-DC降壓式轉(zhuǎn)換器的電流處理能力增加一倍。
英飛凌將把DirectFET功率封裝技術(shù)應(yīng)用于旗下的OptiMOS 2和OptiMOS 3芯片技術(shù),預(yù)計(jì)在2008年初開(kāi)始提供DirectFET封裝的OptiMOS 2樣品。
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sp; IR企業(yè)功率業(yè)務(wù)部副總裁Tim Phillips表示:“由于采用了獨(dú)特的雙面散熱設(shè)計(jì),IR的DirectFET封裝技術(shù)可以降低能量損耗,減小設(shè)計(jì)占位面積,是先進(jìn)計(jì)算、消費(fèi)及通信應(yīng)用的解決方案。”
他還表示:“我們不斷為節(jié)省能源開(kāi)發(fā)技術(shù),并通過(guò)授權(quán)協(xié)議擴(kuò)大 DirectFET
類(lèi)創(chuàng)新技術(shù)在節(jié)能方面的影響力,進(jìn)一步擴(kuò)展我們?cè)诠β使芾硎袌?chǎng)主要領(lǐng)域的業(yè)務(wù)?!?/P>
英飛凌科技功率管理及驅(qū)動(dòng)器業(yè)務(wù)部副總裁兼總經(jīng)理Arunjai Mittal表示:“根據(jù)這項(xiàng)協(xié)議,英飛凌將繼續(xù)擴(kuò)充旗下的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品系列。把我們成功的OptiMOS芯片技術(shù)與不同封裝規(guī)格相結(jié)合,以適應(yīng)廣泛的應(yīng)用,使電源|穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)師可以為特定應(yīng)用采用節(jié)能的、有成本效益的解決方案。OptiMOS 2和OptiMOS 3器件本身具有卓越的特性,現(xiàn)在加上具有雙面散熱能力的封裝,將進(jìn)一步鞏固英飛凌在功率轉(zhuǎn)換市場(chǎng)的地位?!?/P>
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