飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出11種新型MicroFET MOSFET產(chǎn)品，提供業(yè)界廣泛的的散熱增強(qiáng)型超緊湊、低高度(2×2×0.8mm)器件，面向30V和20V以下的低功耗應(yīng)用，包括移動(dòng)電話、數(shù)碼相機(jī)、游戲機(jī)、遠(yuǎn)程POS終端，以及其它大批量的便攜式產(chǎn)品。這些產(chǎn)品需要空間優(yōu)化和為了延長(zhǎng)電池壽命和保證可靠性而需要的散熱和電氣性能。MicroFET功率開(kāi)關(guān)結(jié)合飛兆半導(dǎo)體的先進(jìn)PowerTrench技術(shù)和業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的模塑無(wú)鉛封裝(MLP)，因此，較之于傳統(tǒng)使用大型封裝的功率MOSFET，MicroFET器件在散熱性能和節(jié)省空間方面有著顯著優(yōu)勢(shì)。

    飛兆半導(dǎo)體的MicroFET采用MLP封裝，為設(shè)計(jì)人員帶來(lái)全新的封裝選擇，即是在充電器、升壓轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器及負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中廣泛采用的SSOT-6或SC-70器件封裝之外。采用2×2mm MLP封裝的MicroFET較3×3mm SSOT-6封裝的MOSFET體積減小55%，同時(shí)具有更高的性能。例如，較之于典型的雙P溝道SSOT-6(9mm2)器件，MicroFET(4mm2)的RDS(ON)降低了17%(95mΩ對(duì)比于115mΩ)、熱阻降低16%(151℃/W對(duì)比于180℃/W(銅焊盤(pán)數(shù)值))。此外，與較大的3×1.9mm MLP器件甚至是類(lèi)似的小型封裝SC-70相比，MicroFET器件提供的散熱性能和效率明顯高出很多。舉例說(shuō)，與雙P溝道SC-70器件相比，飛兆半導(dǎo)體MicroFET的RDS(ON)低80%、熱阻低65%。

    飛兆半導(dǎo)體低壓功率業(yè)務(wù)市務(wù)總監(jiān)Chris Winkler稱(chēng)：“在2005年，飛兆半導(dǎo)體率先推出MLP封裝的MicroFET，具有以往在SC-70外形中使用SSOT-6器件才能提供的高性能。飛兆半導(dǎo)體此次推出11種新器件，為客戶提供了更多擴(kuò)充的MicroFET產(chǎn)品系列的選擇?！?

    這些無(wú)鉛器件能達(dá)到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標(biāo)準(zhǔn)要求，并符合現(xiàn)已生效的歐盟標(biāo)準(zhǔn)。有現(xiàn)貨供應(yīng)，交貨期為收到訂單后4周內(nèi)。