安森美推出低成本高性能低VCE(sat)雙極結(jié)晶體管
出處:toopy 發(fā)布于:2007-12-05 15:10:51
安森美半導(dǎo)體推出全新系列的高性能低VCE(sat)雙極結(jié)晶體管(BJT),該產(chǎn)品降低了電路總成本,并為各種便攜式應(yīng)用如手機(jī)、PDA、媒體播放器、筆記本電腦和數(shù)碼相機(jī), 提供更高的電源效率和更長的電池壽命。
該BJT為微型的表面貼裝器件,具有超低飽和電壓(VCE(sat))和高電流增益能力的特性,專為能效控制要求高的低壓高速開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。應(yīng)用范圍包括,電源管理、電池充電、低壓降穩(wěn)壓、振蕩器電機(jī)、LED背光、電池管理、磁盤驅(qū)動器控制和照相機(jī)閃光燈。
為減小便攜式和無線產(chǎn)品制造商的設(shè)計(jì)成本壓力,安森美半導(dǎo)體把目光轉(zhuǎn)向分立元件,以期獲得更多的成本節(jié)約。公司采用加強(qiáng)型硅技術(shù)和先進(jìn)封裝,開發(fā)全新系列的小型、高性價(jià)比BJT,該系列BJT所提供的低飽和電壓性能與較昂貴的分立解決案的RDS(on)性能相當(dāng)。
安森美半導(dǎo)體集成電源產(chǎn)品部小信號產(chǎn)品市場經(jīng)理Wes Reid表示:“采用新型低VCE(sat)BJT,使我們成功幫助一些客戶實(shí)現(xiàn)每個(gè)電路0.1美元的成本節(jié)約。安森美半導(dǎo)體工程小組也正加快開發(fā)新一代低VCE(sat)BJT器件,可將等效RDS(on)再降低50%,為更多的用戶和其應(yīng)用提供這種成本節(jié)約型技術(shù)?!?nbsp;
安森美半導(dǎo)體新型VCE(sat)BJT的抗靜電放電(ESD)能力很強(qiáng),有助防止敏感元件受到損壞。優(yōu)越的電氣性能和低溫系數(shù)可提高電源效率,并終節(jié)約電池電能。通過減少特定應(yīng)用中的器件數(shù)量,這些新型晶體管可進(jìn)一步縮減材料單(BOM???)。如在提供低于1.0V的低導(dǎo)通電壓后,就無需典型的電荷泵 。由于它們具有雙向阻塞能力,所以也無需阻塞二極管。
該系列BJT采用多種封裝,包括SOT-23、SC-88、SC-74、TSOP-6和ChipFET,每10,000件的批量單價(jià)為0.07美元至0.16美元。
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