的分立器件供應(yīng)商，安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)推出全新系列的高性能VCE(sat) 雙極結(jié)晶體管(BJT)，該產(chǎn)品降低電路總成本，并為各種便攜式應(yīng)用如手機(jī)、PDA、媒體播放器、筆記本電腦和數(shù)碼相機(jī), 提供更高的電源效率和更長(zhǎng)的電池壽命。

　　此類創(chuàng)新的低VCE(sat) BJT為微型的表面貼裝器件，具有超低飽和電壓(VCE(sat))和高電流增益能力的特性，專為負(fù)擔(dān)得起且能效控制要求高的低壓高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。理想的應(yīng)用包括電源管理、電池充電、低壓降穩(wěn)壓、振蕩器電機(jī)、LED背光、電池管理、磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器控制和照相機(jī)閃光燈。

　　為協(xié)助一直處于削減其設(shè)計(jì)各個(gè)方面成本的巨大壓力之下的便攜式和無(wú)線產(chǎn)品制造商，安森美半導(dǎo)體在模擬集成電路以外，把目光轉(zhuǎn)向分立元件，以期獲得可能的成本節(jié)約。采用經(jīng)加強(qiáng)的硅技術(shù)和先進(jìn)封裝，公司開(kāi)發(fā)了這全新系列的小型、高性價(jià)比BJT，其所提供的低飽和電壓性能與較昂貴的分立解決方案的 RDS(on) 性能相當(dāng)。

　　安森美半導(dǎo)體集成電源產(chǎn)品部小信號(hào)產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理Wes Reid說(shuō):“采用新型低VCE(sat) BJT，我們已成功幫助一些客戶實(shí)現(xiàn)了每個(gè)電路0.1美元的成本節(jié)約。安森美半導(dǎo)體工程小組也正加快開(kāi)發(fā)新一代低VCE(sat) BJT 器件，它們可將等效RDS(on) 再降低50%，為更多的用戶和其應(yīng)用提供這種成本節(jié)約型技術(shù)?！?

　　安森美半導(dǎo)體新型VCE(sat) BJT的抗靜電放電(ESD)能力很強(qiáng)，有助防止敏感元件受到損壞。優(yōu)異的電氣性能和低溫系數(shù)可提高電源效率，并終節(jié)約電池電能。通過(guò)減少特定應(yīng)用中的器件數(shù)量，這些新型晶體管可進(jìn)一步縮減材料單(BOM)。如在提供低于1.0伏(V)的低導(dǎo)通電壓后，就無(wú)需典型的電荷泵 。由于它們具有雙向阻塞能力，所以也無(wú)需阻塞二極管。

　　PNP 器件

　　NSS12200WT1G 12 V, 3.0 A, 163 milliohm (SC-88)

　　NSS30070MR6T1G 30 V, 0.7 A, 320 milliohm (SC-74)

　　NSS35200CF8T1G 35 V, 7.0 A, 78 milliohm (Chip-FET)

　　NSS40400CF8T1G 40 V, 7.0 A, 78 milliohm (Chip-FET)

　　NSS20300MR6T1G 20 V, 5.0 A, 78 milliohm (TSOP-6)

　　NSS30100LT1G 30 V, 2.0 A, 200 milliohm (SOT-23)

　　NSS35200MR6T1G 35 V, 5.0 A, 100 milliohm (TSOP-6)

　　NPN 器件

　　NSS20201MR6T1G 20 V, 3.0 A, 100 milliohm (TSOP-6)

　　NSS30101LT1G 30 V, 2.0 A, 100 milliohm (SOT-23)

　　NSS30071MR6T1G 30 V, 0.7 A, 200 milliohm (SC-74)

　　NSS30201MR6T1G 30 V, 3.0 A, 100 milliohm (TSOP-6)

　　封裝與價(jià)格

　　低VCE(sat) BJT 系列采用多種業(yè)內(nèi)的封裝，包括SOT-23、SC-88、SC-74、TSOP-6 和 ChipFET，每10,000件的批量單價(jià)為0.07美元至0.16美元。