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愛普生TFT-SRAM可在低電壓下高速運行

出處:and 發(fā)布于:2007-12-05 10:47:22

  日本精工愛普生公司(Seiko Epson)推出世界上首款TFT-SRAM (16Kb),它的電源電壓為3V至6V,訪問時間短,它在柔性基底上集成了感應放大器,每個單元包括六個晶體管,它可用作該公司異步8位微處理器ACT11的存儲器。  

  為了開發(fā)這款TFT-SRAM,愛普生將該存儲器的所有電路模塊集成到塑料基底的單芯片上,這樣可使TFT-SRAM在低電壓下高速運行。  

  該公司一直致力于開發(fā)小型節(jié)能電子器件,現在開始注重薄而輕的柔性器件開發(fā),新近開發(fā)的低溫聚合硅技術采用薄膜成型技術和SUFTLA,可將TFT電路從玻璃基底轉換到柔性基底上。  

  愛普森希望該TFT-SRAM將被用作小而輕電子器件的關鍵元件。



  
關鍵詞:愛普生TFT-SRAM可在低電壓下高速運行

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