飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出尺寸的互補(bǔ)對稱MOSFET器件——FDC6020C，為微型“點(diǎn)”功率應(yīng)用和負(fù)載點(diǎn)(POL) DC/DC開關(guān)轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)提供高于1A的持續(xù)電流。該器件將兩個(gè)MOSFET集成在一個(gè)超小型的SuperSOT-6 FLMP封裝(倒裝導(dǎo)模封裝)中。

　　　FDC6020C具有良好的熱性能和高效率特性，適用于機(jī)頂盒、數(shù)碼相機(jī)和硬盤驅(qū)動(dòng)器等產(chǎn)品。該器件的低壓門限(VGS = 2.5V)可簡化采用3.3V總線轉(zhuǎn)換器或單節(jié)鋰離子電池供電的設(shè)計(jì)。當(dāng)沒有高門驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)，使用FDC6020C則無需設(shè)計(jì)充電泵電路。此外，該器件的每一個(gè)MOSFET都具有優(yōu)良的RDS(on)特性(在4.5V時(shí)， P溝道為52mΩ，N溝道為27mΩ)。FDC2060C的結(jié)點(diǎn)至外殼熱阻抗(1℃/W)及結(jié)點(diǎn)至周邊環(huán)境熱阻抗(68℃/W)有助于達(dá)到電流密度，并同時(shí)維持工作溫度。

　　FDC6020C采用SuperSOT-6 FLMP封裝，其面積僅為9mm2，側(cè)高為0.8mm。這種先進(jìn)的封裝形式無須傳統(tǒng)的金屬線連接，不但提供低電阻抗，而且可以維持所需的關(guān)鍵性機(jī)械公差特性，使到晶片反面和封裝反面共面。這種共面結(jié)構(gòu)在PCB和MOSFET晶片(漏極連接)之間提供低熱阻抗通路。

　　這種無鉛產(chǎn)品能達(dá)到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020D標(biāo)準(zhǔn)要求，并符合生效的歐盟標(biāo)準(zhǔn)。FDC6020器件有現(xiàn)貨供應(yīng)，訂購1, 000個(gè)時(shí)每個(gè)0.76美元(僅供參考)。交貨期為收到訂單后8周內(nèi)。