l引 言

　　溫度的測量和控制在激光器、光纖光柵的使用及其他的工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)和科學(xué)研究中應(yīng)用廣泛。溫度檢測的傳統(tǒng)方法是使用諸如熱電偶、熱電阻、半導(dǎo)體PN結(jié)之類的模擬溫度傳感器。信號經(jīng)取樣、放大后通過模數(shù)轉(zhuǎn)換，再交自單片機處理。被測溫度信號從溫敏元件到單片機，經(jīng)過眾多器件，易受干擾、不易控制且不高。因此，本文介紹一種新型的可編程溫度傳感器DS18B20，他能代替模擬溫度傳感器和信號處理電路，直接與單片機溝通，完成溫度采集和數(shù)據(jù)處理。DS18B20與AT89C51結(jié)合實現(xiàn)簡溫度檢測系統(tǒng)，該系統(tǒng)結(jié)構(gòu)簡單，抗干擾能力強，適合于惡劣環(huán)境下進行現(xiàn)場溫度測量，有廣泛的應(yīng)用前景。

　　2溫度測量系統(tǒng)硬件

　　系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖如圖1所示[1]。這里通過上拉電阻直接驅(qū)動LED顯示。以增加線路復(fù)雜度為代價，減少芯片數(shù)量。

　　2．1數(shù)字溫度傳感器DS18B20

　　DS18B20是美國DALLAS公司推出的單總線數(shù)字測溫芯片。他具有獨特的單總線接口方式，僅需使用1個端口就能實現(xiàn)與單片機的雙向通訊。采用數(shù)字信號輸出提高了信號抗干擾能力和溫度測量。他的工作電壓使用范圍寬(3．0～5．5 V)，可

以采用外部供電方式，也可以采用寄生電源方式，即當總線DQ為高電平時，竊取信號能量給DS18B20供電。他還有負壓特性，電源極性接反時，DS18B20不會因接錯線而燒毀，但不能正常工作?？梢酝ㄟ^編程實現(xiàn)9～12位的溫度轉(zhuǎn)換設(shè)置。由表1[2]可見，設(shè)定的分辨率越高，所需要的溫度數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換時間就越長，在實際應(yīng)用中要將分辨率和轉(zhuǎn)換時間權(quán)衡考慮。

　　DS18B20采用3腳TO-92封裝，形如三極管，同時也有8腳SOIC封裝，還有6腳的TSOC封裝。測溫范圍為－55～+125℃，在一10～85℃范圍內(nèi)，為±0．5℃。每一個DS18B20芯片的ROM中存放了一個64位ID號：前8位是產(chǎn)品類型編號，隨后48位是該器件的自身序號，8位是前面56位的循環(huán)冗余校驗碼。又因其可以采用寄生電源方式供電。因此，一條總線上可以同時掛接多個DS18B20，實現(xiàn)多點測溫系統(tǒng)。另外用戶還可根據(jù)實際情況設(shè)定非易失性溫度報警上下限值TH和TL。DS18B20檢測到溫度值經(jīng)轉(zhuǎn)換為數(shù)字量后，自動存入存儲器中，并與設(shè)定值TH或TL進行比較，當測量溫度超出給定范圍時，就輸出報警信號，并自動識別是高溫超限還是低溫超限。

　　2．2 AT89C51單片機

　　AT89C51單片機是ATMEL公司生產(chǎn)的高性能8位單片機，主要功能特性如下：

　?、偌嫒軲CS-51指令系統(tǒng)；

　?、?2個雙向I/O口，兩個16位可編程定時/計數(shù)器；

　?、?個串行中斷，兩個外部中斷源；

　?、芸芍苯域?qū)動LED；

　?、莸凸目臻e和掉電模式；

　?、? kB可反復(fù)擦寫(>1 000次)FLASI ROM；

　　⑦全靜態(tài)操作O～24 MHz；

　?、?28×8 b內(nèi)部RAM。

　　該款芯片的超低功耗和良好的性能價格比使其非常適合嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用。

　　3溫度測量系統(tǒng)軟件

　　DS18B20簡單的硬件接口是以相對復(fù)雜的接口編程為代價。由于DS18B20通過單總線與單片機進行通訊，所以其通訊功能是分時完成的。他與單片機的接口協(xié)議是通過嚴格的時序來實現(xiàn)的，只有在特定的時隙，才能實現(xiàn)DS18B20數(shù)據(jù)的寫入和讀出。這里以AT89C51和一個DS18B20通訊為例，列出部分通訊的匯編語言代碼。

　　3．1 初始化子程序(RESET)

　　與DS18B20的所有通訊都是由一個單片機的復(fù)位脈沖和一個DS18B20的應(yīng)答脈沖開始的。單片機先發(fā)一個復(fù)位脈沖，保持低電平時間少480μs，多不能超過960μs。然后，單片機釋放總線，等待DS18B20的應(yīng)答脈沖。DS18B20在接受到復(fù)位脈沖后等待15～60μs才發(fā)出應(yīng)答脈沖。應(yīng)答脈沖能保持60～240μs。單片機從發(fā)送完復(fù)位脈沖到再次控制總線至少要等待480 μs。程序代碼如下：

　　3．2 WRITE子程序

　　寫時隙需要15～75 μs，且在2次獨立的寫時隙之間至少需要1μs的恢復(fù)時間。寫時隙起始于單片機拉低總線。以要把單片機A中的數(shù)據(jù)發(fā)給DS18B20為例，程序代碼如下：

　　3．3 READ子程序

　　讀時隙需15～60 μs，且在2次獨立的讀時隙之間至少需要1 μs的恢復(fù)時間。讀時隙起始于單片機拉低總線至少1 μs。DSl8820在讀時隙開始15μs后開始采樣總線電平。以單片機讀取2 B的數(shù)據(jù)為例。程序代碼如下：

  

參考文獻:

[1]. DS18B20 datasheet http://m.58mhw.cn/datasheet/DS18B20_819975.html.
[2]. AT89C51 datasheet http://m.58mhw.cn/datasheet/AT89C51_810155.html.
[3]. TO-92 datasheet http://m.58mhw.cn/datasheet/TO-92_656179.html.
[4]. SOIC datasheet http://m.58mhw.cn/datasheet/SOIC_1182477.html.
[5]. ROM datasheet http://m.58mhw.cn/datasheet/ROM_1188413.html.
[6]. MCS-51 datasheet http://m.58mhw.cn/datasheet/MCS-51_477840.html.