ST推出微歐功率MOSFET提高并聯(lián)服務(wù)器電源能效
出處：puwlive 發(fā)布于：2007-12-03 09:31:08
ST開發(fā)出一項引線帶楔焊鍵合創(chuàng)新技術(shù)，典型導(dǎo)通電阻Rds(on)極低，只有800微歐(0.8毫歐)，為高電流的MOSFET器件創(chuàng)造了一個新的工業(yè)基準。這款20V的產(chǎn)品是降低高效直流直流變換器二次側(cè)功耗的理想器件，短路保護功能十分優(yōu)越，關(guān)斷時間極短。
關(guān)鍵系統(tǒng)經(jīng)常使用并聯(lián)電源來提供冗余電源，或者用于提高電源輸出功率。過去這個功能通常使用二極管，現(xiàn)在，為了實現(xiàn)更高的性能，MOSFET取代了二極管?，F(xiàn)在功耗低的STV300NH02L在電源效率上又向前邁出了一大步。
STV300NH02L采用PowerSO-10封裝，訂貨1,000件，單價4.50美元。
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