據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子公司正在采用一種更先進(jìn)的生產(chǎn)方法，以推動(dòng)圖形內(nèi)存芯片達(dá)到更高速度。
　　芯片制造商之一的三星公司周五稱，公司已設(shè)法使GDDR4(graphics double data rate 4)內(nèi)存芯片的運(yùn)行速度達(dá)到4Gbps。三星稱，新芯片的速度要比現(xiàn)在快的GDDR4芯片增加了三分之二，現(xiàn)在快的GDDR4的時(shí)鐘頻率是2.4Gbps。
　　通過采用80納米生產(chǎn)技術(shù)，三星設(shè)法提高了GDDR4芯片的運(yùn)行速度。一個(gè)納米是一毫米的百萬分之一，它是關(guān)于芯片表面功能尺寸的衡量指標(biāo)。如果其尺寸能夠變得更小，制造商就能生產(chǎn)出更緊湊、耗電更小和速度更高的芯片。
　　三星公司款GDDR4內(nèi)存將是512MB芯片。三星將在本月為客戶公司提供芯片樣本，在今年晚些時(shí)候開始進(jìn)入量產(chǎn)?！　?