ST推出了新系列功率MOSFET產(chǎn)品的款產(chǎn)品
出處：lydyf 發(fā)布于：2007-11-30 16:28:30
商用照明應(yīng)用市場對更高的功率密度和更低的成本的日益增長的需求激勵半導(dǎo)體制造商挑戰(zhàn)器件優(yōu)化的極限。新產(chǎn)品STD11NM60N就是一個這樣的挑戰(zhàn)半導(dǎo)體器件技術(shù)極限的實例，該產(chǎn)品采用ST自主開發(fā)的第二代 MDmeshTM 技術(shù)，通態(tài)電阻 RDS (ON) 450 mΩ，該器件的電阻值比上一代MDmesh技術(shù)降低了55%，而這一優(yōu)異特性并不是以犧牲對其溫度特性的控制為代價的。
除通過化電阻值來大幅度降低通態(tài)損耗外，這個600V產(chǎn)品的主要特性還包括一個節(jié)能的驅(qū)動電路，該電路使MOSFET能夠在較低的VGS(th)（柵閾壓）電壓下驅(qū)動更高的電流。 事實上，雖然閾壓范圍（2V）沒有變化，但是驅(qū)動該器件所需的VGS電壓范圍降低了，從而優(yōu)化了驅(qū)動電路的性能，保證了器件具有優(yōu)異的防止電路意外導(dǎo)通的噪聲抑制性能。
STD11NM60N的主要特性包括一個優(yōu)異的二極管dv/dt性能和出色的雪崩特性，使用戶能夠把工作溫度保證在正常的工作溫度范圍內(nèi)。因為傳導(dǎo)損耗和功耗都很低，該器件還有助于客戶降低散熱器的尺寸，從而大大節(jié)省了電路板的空間。
該芯片精巧的尺寸，再加上微型的DPAK/IPAK和TO-220FP 封裝，使之特別適合照明應(yīng)用產(chǎn)品，例如，大功率因數(shù)電子鎮(zhèn)流器和高強度放電燈（HID）電子鎮(zhèn)流器。
STD11NM60N現(xiàn)已量產(chǎn)。 訂購10,000件，單價0.90美元。
技術(shù)說明:
ST的MDmeshTM (多漏極網(wǎng)格TM)技術(shù)的卓越性能歸功于一個創(chuàng)新的漏極結(jié)構(gòu)，在這個漏極結(jié)構(gòu)中，漏極是半導(dǎo)體縱向延伸的垂直P型帶與橫向N型源極薄帶組成的隔離陣列。 在新一代 MDmesh技術(shù)MDmesh II中，得到進(jìn)一步改良的P型帶陣列比前一代MDmesh技術(shù)降低通態(tài)電阻 55% RDS (ON) ，而這個優(yōu)異的性能不是以犧牲對溫度特性的控制為代價的。
詳情登錄ST公司網(wǎng)站 www.st.com/pmos
版權(quán)與免責(zé)聲明
凡本網(wǎng)注明“出處：維庫電子市場網(wǎng)”的所有作品，版權(quán)均屬于維庫電子市場網(wǎng)，轉(zhuǎn)載請必須注明維庫電子市場網(wǎng)，http://m.58mhw.cn，違反者本網(wǎng)將追究相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它出處的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點或證實其內(nèi)容的真實性，不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時，必須保留本網(wǎng)注明的作品出處，并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題，請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
- 從故障案例學(xué)習(xí)：電源雷擊浪涌防護設(shè)計2026/3/11 10:12:04
- 5G基站供電新要求及分布式電源解決方案2026/3/3 14:12:13
- 電源IC使能腳EN的設(shè)計技巧2026/2/28 11:02:23
- 服務(wù)器電源的80PLUS鈦金標(biāo)準(zhǔn)意味著什么？2026/2/27 11:04:01
- 多路輸出開關(guān)電源的交叉調(diào)整率問題與改進(jìn)2026/2/24 14:46:38
