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高電壓頻率轉(zhuǎn)換器芯片設(shè)計(jì)

出處:eastzsp 發(fā)布于:2007-11-30 15:43:24

1 引言

  在工業(yè)生產(chǎn)和控制中往往需要檢測一些實(shí)際的環(huán)境變量,例如壓力、電場或磁場強(qiáng)度、溫度等,一般使用可控振蕩器外接敏感元件來檢測環(huán)境變量變化,可控振蕩器的參數(shù)(例如周期或相位)隨敏感元件值的變化而變化。許多集成傳感器也都使用周期可調(diào)的振蕩器,要求振蕩電路的周期隨敏感元件的變化而線性變化,多諧振蕩器的輸出為三角波,容易轉(zhuǎn)化為方波,而且不需要穩(wěn)幅電路,振蕩頻率隨充電電流改變而變化,變化范圍很大,可達(dá)四五個數(shù)量級[1-2],所以多諧振蕩器被廣泛使用,只要在多諧振蕩器前面加上一個電壓-電流轉(zhuǎn)換器,就 可以構(gòu)成一個通用的電壓頻率轉(zhuǎn)換器。

  本文設(shè)計(jì)的電壓頻率轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)框圖如圖1,包括一個由放大器組成的電壓電流轉(zhuǎn)換器、帶隙恒流源和多諧振蕩器。其中多諧振蕩器采用射極耦合電路,其振蕩頻率與控制電流成正比,而控制電流由輸入電壓大小決定,參考電壓源為振蕩器提供穩(wěn)定的偏置,驅(qū)動級接受振蕩波形并對外部模塊提供大的電流輸出。

電壓頻率轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)框圖

  2 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

  電壓頻率轉(zhuǎn)換器一般要求具有高的線性度(<0.1%)、動態(tài)范圍(>10000:1)和低的頻率溫度漂移(<100ppm/K),其中關(guān)鍵的部分 為振蕩器。本文采用文獻(xiàn)[1]提出的集電極鉗位振蕩器思路,如圖2所示,電壓VR為穩(wěn)定的參考電壓源。Q1、Q2、A1、A2組成正反饋環(huán)路,穩(wěn)態(tài)時Q1、Q2一個導(dǎo)通,一個則截止。假定Q1導(dǎo)通,它的發(fā)射極電流為2I,電容C上充電電流方向自左向右,D1導(dǎo)通,Q1的集電極電位被鉗置在(VS-VR-VBE),VBE為一個二極管的正向壓降;Q2截止,D4導(dǎo)通,流經(jīng)D4的電流也為I,則Q2的集電極電位被鉗置在(VS-VBE),兩個集電極電壓之差為VR,Q2導(dǎo)通時情況也一樣。這樣振蕩器的電壓擺幅就為VR,不隨溫度、電源電壓的影響。頻率f可表示為

集電極鉗位振蕩器思路

  f=I/(4C×VR) (1)

  設(shè)置充電電流I=vin/(3×R),VR=833mV,則頻率為

  f=vin/(10×R×C) (2)

  以上對圖2電路的分析都是基于理想情況下的,即假定Q1、Q2、A1、A2所組成正反饋環(huán)路的反轉(zhuǎn)時間很短,Q1、Q2在過渡狀態(tài)時集電極電流為O或I。實(shí)際上這種假設(shè)只有在零度時成立,在實(shí)際情況下,過渡狀態(tài)附近Q1、Q2的集電

極電流處于O和I之間,這樣就影響了電容充電電流的大小,而且這個變化與系統(tǒng)所處的環(huán)境溫度有關(guān)。文獻(xiàn)[1]仔細(xì)分析了過渡狀態(tài)時充電電流的變化和對振蕩頻率的影響,認(rèn)為對于固定的VR,振蕩頻率隨溫度升高而線性升高,頻率溫度系數(shù)約為230ppm/K。因此要想得到一溫漂小于100ppm/K的性能,必須產(chǎn)生一正 溫度系數(shù)的VR來做補(bǔ)償。

  3 模塊設(shè)計(jì)

  3.1 振蕩器電路設(shè)計(jì)

  圖3示出了多諧振蕩器電路圖。鉗位二極管D1-D6被三極管Q12-Q17代替,Vin為輸入電壓,VR為參考電壓源。電路采用自適應(yīng)偏置的技術(shù),Q3、Q4、Q5集電極電流I隨輸人電壓而改變,Q6面積為Q7的兩倍,使它的集電極電流為21。Q9、QlO的加人使Q3、04、Q5的集電極—發(fā)射極電壓Vce基本相同,增加了電流的匹配。振蕩器電壓擺幅等于Q12、Q16基極電壓之差,與電源電壓的波動無關(guān)。

多諧振蕩器電路圖

  3.2 輸入放大器設(shè)計(jì)

  Q1、02采用縱向PNP三極管,這樣可使輸入電壓低至(-VS):Q9、QlO為Q3、Q4提供基極偏置電流,提高Q3、Q4集電極電流的匹配,Q3、Q4偏置電流應(yīng)具有正的溫度系數(shù),這樣可減小整個放大器的失凋電壓;R2、只3為凋零電阻,輸入信號差分放大后經(jīng)兩個緩沖器電流放大可直接驅(qū)動多諧振蕩器的Q3、Q4、Q5。

  3.3 帶隙偏置源的設(shè)計(jì)

輸入放大器電路

帶隙偏置源的設(shè)計(jì)

振蕩器頻率與溫度的關(guān)系

  帶隙恒壓源采用傳統(tǒng)的方法設(shè)計(jì),Q2、Q3、Q5、Q6組成差分放大器,取Q5面積是Q6的8倍,Q5、Q6集電極電流相等,則可得R4兩端電壓(ΔVBE)為

公式

  適當(dāng)選擇r值,可使Vbg溫度系數(shù)很小。AMP和Q10組成電壓電流轉(zhuǎn)換器,流經(jīng)R3的電流I1=I2+I3,其中I2為正溫度系數(shù),因此在月3兩端可產(chǎn)生正溫度系數(shù)的電壓以補(bǔ)償振蕩器固有的負(fù)溫度系數(shù)的頻率漂移。

  偏置電壓VR1可送至輸入放大器,因?yàn)镼1的集電極電流I4為正的溫度系數(shù),恰好滿足輸入放大器偏置的要求。

  4 模擬結(jié)果

  4.1 對振蕩器電路做溫度特性分析

  參考電壓VR分別取(0.833V+0ppm/℃)(B1、C1)和(0.833V+230ppm/℃)(B2、C2),輸入電壓取1V和100mV。可以看出,適當(dāng)選取正溫度系數(shù)的參考電壓VR,可使振蕩器在0-70℃的范圍內(nèi)頻率溫度系數(shù)處于100ppm/℃以下。

1 引言

  在工業(yè)生產(chǎn)和控制中往往需要檢測一些實(shí)際的環(huán)境變量,例如壓力、電場或磁場強(qiáng)度、溫度等,一般使用可控振蕩器外接敏感元件來檢測環(huán)境變量變化,可控振蕩器的參數(shù)(例如周期或相位)隨敏感元件值的變化而變化。許多集成傳感器也都使用周期可調(diào)的振蕩器,要求振蕩電路的周期隨敏感元件的變化而線性變化,多諧振蕩器的輸出為三角波,容易轉(zhuǎn)化為方波,而且不需要穩(wěn)幅電路,振蕩頻率隨充電電流改變而變化,變化范圍很大,可達(dá)四五個數(shù)量級[1-2],所以多諧振蕩器被廣泛使用,只要在多諧振蕩器前面加上一個電壓-電流轉(zhuǎn)換器,就 可以構(gòu)成一個通用的電壓頻率轉(zhuǎn)換器。

  本文設(shè)計(jì)的電壓頻率轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)框圖如圖1,包括一個由放大器組成的電壓電流轉(zhuǎn)換器、帶隙恒流源和多諧振蕩器。其中多諧振蕩器采用射極耦合電路,其振蕩頻率與控制電流成正比,而控制電流由輸入電壓大小決定,參考電壓源為振蕩器提供穩(wěn)定的偏置,驅(qū)動級接受振蕩波形并對外部模塊提供大的電流輸出。

電壓頻率轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)框圖

  2 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

  電壓頻率轉(zhuǎn)換器一般要求具有高的線性度(<0.1%)、動態(tài)范圍(>10000:1)和低的頻率溫度漂移(<100ppm/K),其中關(guān)鍵的部分 為振蕩器。本文采用文獻(xiàn)[1]提出的集電極鉗位振蕩器思路,如圖2所示,電壓VR為穩(wěn)定的參考電壓源。Q1、Q2、A1、A2組成正反饋環(huán)路,穩(wěn)態(tài)時Q1、Q2一個導(dǎo)通,一個則截止。假定Q1導(dǎo)通,它的發(fā)射極電流為2I,電容C上充電電流方向自左向右,D1導(dǎo)通,Q1的集電極電位被鉗置在(VS-VR-VBE),VBE為一個二極管的正向壓降;Q2截止,D4導(dǎo)通,流經(jīng)D4的電流也為I,則Q2的集電極電位被鉗置在(VS-VBE),兩個集電極電壓之差為VR,Q2導(dǎo)通時情況也一樣。這樣振蕩器的電壓擺幅就為VR,不隨溫度、電源電壓的影響。頻率f可表示為

集電極鉗位振蕩器思路

  f=I/(4C×VR) (1)

  設(shè)置充電電流I=vin/(3×R),VR=833mV,則頻率為

  f=vin/(10×R×C) (2)

  以上對圖2電路的分析都是基于理想情況下的,即假定Q1、Q2、A1、A2所組成正反饋環(huán)路的反轉(zhuǎn)時間很短,Q1、Q2在過渡狀態(tài)時集電極電流為O或I。實(shí)際上這種假設(shè)只有在零度時成立,在實(shí)際情況下,過渡狀態(tài)附近Q1、Q2的集電

極電流處于O和I之間,這樣就影響了電容充電電流的大小,而且這個變化與系統(tǒng)所處的環(huán)境溫度有關(guān)。文獻(xiàn)[1]仔細(xì)分析了過渡狀態(tài)時充電電流的變化和對振蕩頻率的影響,認(rèn)為對于固定的VR,振蕩頻率隨溫度升高而線性升高,頻率溫度系數(shù)約為230ppm/K。因此要想得到一溫漂小于100ppm/K的性能,必須產(chǎn)生一正 溫度系數(shù)的VR來做補(bǔ)償。

  3 模塊設(shè)計(jì)

  3.1 振蕩器電路設(shè)計(jì)

  圖3示出了多諧振蕩器電路圖。鉗位二極管D1-D6被三極管Q12-Q17代替,Vin為輸入電壓,VR為參考電壓源。電路采用自適應(yīng)偏置的技術(shù),Q3、Q4、Q5集電極電流I隨輸人電壓而改變,Q6面積為Q7的兩倍,使它的集電極電流為21。Q9、QlO的加人使Q3、04、Q5的集電極—發(fā)射極電壓Vce基本相同,增加了電流的匹配。振蕩器電壓擺幅等于Q12、Q16基極電壓之差,與電源電壓的波動無關(guān)。

多諧振蕩器電路圖

  3.2 輸入放大器設(shè)計(jì)

  Q1、02采用縱向PNP三極管,這樣可使輸入電壓低至(-VS):Q9、QlO為Q3、Q4提供基極偏置電流,提高Q3、Q4集電極電流的匹配,Q3、Q4偏置電流應(yīng)具有正的溫度系數(shù),這樣可減小整個放大器的失凋電壓;R2、只3為凋零電阻,輸入信號差分放大后經(jīng)兩個緩沖器電流放大可直接驅(qū)動多諧振蕩器的Q3、Q4、Q5。

  3.3 帶隙偏置源的設(shè)計(jì)

輸入放大器電路

帶隙偏置源的設(shè)計(jì)

振蕩器頻率與溫度的關(guān)系

  帶隙恒壓源采用傳統(tǒng)的方法設(shè)計(jì),Q2、Q3、Q5、Q6組成差分放大器,取Q5面積是Q6的8倍,Q5、Q6集電極電流相等,則可得R4兩端電壓(ΔVBE)為

公式

  適當(dāng)選擇r值,可使Vbg溫度系數(shù)很小。AMP和Q10組成電壓電流轉(zhuǎn)換器,流經(jīng)R3的電流I1=I2+I3,其中I2為正溫度系數(shù),因此在月3兩端可產(chǎn)生正溫度系數(shù)的電壓以補(bǔ)償振蕩器固有的負(fù)溫度系數(shù)的頻率漂移。

  偏置電壓VR1可送至輸入放大器,因?yàn)镼1的集電極電流I4為正的溫度系數(shù),恰好滿足輸入放大器偏置的要求。

  4 模擬結(jié)果

  4.1 對振蕩器電路做溫度特性分析

  參考電壓VR分別取(0.833V+0ppm/℃)(B1、C1)和(0.833V+230ppm/℃)(B2、C2),輸入電壓取1V和100mV??梢钥闯?,適當(dāng)選取正溫度系數(shù)的參考電壓VR,可使振蕩器在0-70℃的范圍內(nèi)頻率溫度系數(shù)處于100ppm/℃以下。


  
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