ST推出采用65nm制造工藝的PR系列NOR閃存產(chǎn)品?；诘谒拇嚯娖絾卧?MLC)技術(shù)，65nm PR系列閃存的軟硬件兼容現(xiàn)有的90nm PR系列NOR閃存，為客戶升級現(xiàn)有系統(tǒng)提供了一條捷徑，同時還提高了存儲密度和產(chǎn)品性能。
　　為滿足移動應(yīng)用市場對高分辨相機(jī)、多媒體內(nèi)容和快速聯(lián)網(wǎng)的需求，新的65nm PR系列閃存的突發(fā)讀取速度達(dá)到133MHz，編程速度達(dá)到1.0-MB/s，支持深關(guān)斷睡眠模式，采用1.8V電源電壓。這個先進(jìn)的NOR閃存系列產(chǎn)品與LPSDRAM、LPDDR-SDRAM、PSRAM和NAND存儲器芯片以共享總線或分用總線的配置組裝在一起，以多片封閉(MCP)和層疊封裝(PoP)解決方案的形式提供給廣大用戶。
　　ST 1-Gbit MLC NOR閃存裸片尺寸為50.8mm，具有20.16-Mbit/mm?的高M(jìn)bit/mm存儲密度。單元尺寸也非常小，僅為0.042m。
　　65nm PR系列是意法半導(dǎo)體與英特爾于2005年12月宣布的合作計劃的一部分，這項目前還在進(jìn)行的合作計劃的目的是為客戶提供的高性能產(chǎn)品，并提供多貨源的采購靈活性。
　　新產(chǎn)品樣片現(xiàn)已上市，256-Mbit、512-Mbit和1-Gbit閃存與PSRAM、LPSDRAM和NAND存儲器芯片的堆疊封裝產(chǎn)品的預(yù)算價格估計在10美元到30美元之間。