ST推出小裸片1G/512M 65nm多電平單元NOR閃存
出處:datouyuan 發(fā)布于:2007-11-30 11:53:25
為滿足移動應(yīng)用市場對高分辨相機(jī)、多媒體內(nèi)容和快速聯(lián)網(wǎng)的需求,新的65nm PR系列閃存的突發(fā)讀取速度達(dá)到133MHz,編程速度達(dá)到1.0-MB/s,支持深關(guān)斷睡眠模式,采用1.8V電源電壓。這個先進(jìn)的NOR閃存系列產(chǎn)品與LPSDRAM、LPDDR-SDRAM、PSRAM和NAND存儲器芯片以共享總線或分用總線的配置組裝在一起,以多片封閉(MCP)和層疊封裝(PoP)解決方案的形式提供給廣大用戶。
ST 1-Gbit MLC NOR閃存裸片尺寸為50.8mm,具有20.16-Mbit/mm?的高M(jìn)bit/mm存儲密度。單元尺寸也非常小,僅為0.042m。
65nm PR系列是意法半導(dǎo)體與英特爾于2005年12月宣布的合作計劃的一部分,這項目前還在進(jìn)行的合作計劃的目的是為客戶提供的高性能產(chǎn)品,并提供多貨源的采購靈活性。
新產(chǎn)品樣片現(xiàn)已上市,256-Mbit、512-Mbit和1-Gbit閃存與PSRAM、LPSDRAM和NAND存儲器芯片的堆疊封裝產(chǎn)品的預(yù)算價格估計在10美元到30美元之間。
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