NXP發(fā)布一代低VCEsat晶體管其功率損耗可減少80％
出處：STMCUChina 發(fā)布于：2007-11-29 14:14:51
恩智浦半導(dǎo)體發(fā)布了一代低VCEsat晶體管，與普通晶體管相比，其功率損耗可減少80%。恩智浦新型BISS（小信號(hào)擊穿）晶體管具有超低飽和電壓（1安培時(shí)低于60毫瓦）、高電路效率和更低的能源消耗，并能減少便攜式電池供電產(chǎn)品（如筆記本電腦、PDA和數(shù)碼相機(jī)）的發(fā)熱量。先進(jìn)的BISS雙極晶體管還可用于需要低等效導(dǎo)通電阻的工業(yè)及汽車領(lǐng)域。
華碩公司研發(fā)處主任鄭慶福表示：“卓越的節(jié)能性能是華碩科技（ASUSTek）非常關(guān)注的一項(xiàng)重要性能，也是我們獲得世界筆記本電腦TCO’99的關(guān)鍵因素。通過與恩智浦的合作，我們有眾多高品質(zhì)BISS晶體管可以選擇，并能夠以價(jià)格成本設(shè)計(jì)開發(fā)各種創(chuàng)新型高性能電腦、通信及消費(fèi)電子產(chǎn)品解決方案?！?/P>
第三代BISS晶體管的集電極電流為5.8 安培，它使用網(wǎng)狀發(fā)射極技術(shù)降低RCEsat，從而能夠提供更高的電流容量以及超低的VCEsat。BISS晶體管可用于提高中等功率DC/DC轉(zhuǎn)換、負(fù)荷開關(guān)、高邊開關(guān)（high side switch）、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、背光變極器應(yīng)用和頻閃器閃光單元以及電池充電器等多種應(yīng)用的效率。恩智浦目前大批量生產(chǎn)供應(yīng)的B
供貨情況
目前提供三種塑封低VCEsat BISS晶體管：SOT457（六腳）、SOT89（三線、配有確保良好傳熱性的集電極片）和SOT223（四線、配有更多散熱片）。欲了解更多信息，請(qǐng)?jiān)L問
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