與瑞薩科技當(dāng)前的產(chǎn)品相比，在引腳兼容的同樣封裝中可降低超過20%的功率損耗— 
　　瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，推出采用56引腳QFN封裝。該器件集成了一個驅(qū)動器IC和兩個高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服務(wù)器等產(chǎn)品的CPU穩(wěn)壓器（VR）。
　　R2J20602NP符合英特爾公司提議的“集成驅(qū)動器MOSFET（DrMOS）”封裝標(biāo)準（以下稱作“DrMOS”）。它集成了一個驅(qū)動器IC和兩個高端/低端開關(guān)電源MOSFET。R2J20602NP是瑞薩科技繼代的R2J20601NP支后開發(fā)的第二代DrMOS標(biāo)準兼容產(chǎn)品，也是在工藝和封裝結(jié)構(gòu)方面進行了改進的更高性能的第二代產(chǎn)品。 
　　R2J20602NP的特性總結(jié)如下。
（1）40A的輸出電流
　　40A的輸出電流——代表了業(yè)界的性能——采用瑞薩科技的高性能功率MOSFET技術(shù)、新開發(fā)的高輻射/低損耗封裝，以及專為功率MOSFET性能而優(yōu)化的高速驅(qū)動器IC。這些技術(shù)支持需要大電流的CPU、FPGA和存儲器等電子元件。
（2）與當(dāng)前的瑞薩產(chǎn)品相比，功率損耗降低20%以上
　　當(dāng)工作在1MHz開關(guān)頻率時，其大約為89%的效率實現(xiàn)了業(yè)界水平（Vin = 12V，Vout = 1.3V）。其輸出電流為25A，功率損耗為4.4W——業(yè)界的水平——比瑞薩當(dāng)前的R2J20601NP低至少20%。使用R2J20602NP有助于實現(xiàn)高效的電源配置，并抑制散熱量，從而開發(fā)出一個節(jié)能的終產(chǎn)品。
（3）小型封裝與代產(chǎn)品引腳安排兼容
　　其封裝與瑞薩當(dāng)前的R2J20601NP引腳安排兼容。8×8×0.95（mm）的小型56引腳QFN封裝適用于高速交換，有助于使用更小的外部電感器和電容器等無源元件，并可減少元件數(shù)量。這將使VR變得更小。 
    <產(chǎn)品背景> 
　　隨著因特網(wǎng)等寬帶應(yīng)用的不斷增長，PC和服務(wù)器需要處理更大的信息量并提供越來越先進的功能。與這個要求一致，CPU、FPGA和存儲器等電子元件越來越需要更低的電壓和更大的電流，而且要求電源具有快速響應(yīng)、更低的電壓和更大的電流，以及更高效率和更小的尺寸等方面的能力。 
　　作為增加VR頻率和效率的關(guān)鍵器件，瑞薩科技及時發(fā)布了分立式高性能功率MOSFET和公司代的DrMOS兼容產(chǎn)品R2J20601NP。 
　　然而，在刀片服務(wù)器*2、硬盤設(shè)備等領(lǐng)域出現(xiàn)了全面產(chǎn)品小型化和密度改善方面的迫切需求，使電源電路變得更小，同時具有更低的損耗和發(fā)熱量特點非常重要。因此，低損耗性能的主要改進是構(gòu)成電源電路關(guān)鍵元素所需的功率器件。為了滿足這樣的市場需求，瑞薩科技現(xiàn)在開發(fā)出了其第二代的DrMOS兼容產(chǎn) R2J20602NP，實現(xiàn)了超過公司當(dāng)前產(chǎn)品20%的更低的損耗。 
    <其他產(chǎn)品細節(jié)> 
　　R2J20602NP在56引腳QFN封裝中集成了兩個功率MOSFET和一個驅(qū)動器IC（一個高端MOSFET和一個低端MOSFET）。單封裝設(shè)計有助于大幅度降低器件之間的布線寄生電感*3，使R2J20602NP適用于高頻操作。瑞薩科技用在這個產(chǎn)品中的功率MOSFET可提供業(yè)界的性能。低端MOSFET集成了肖特基勢壘二極管，可以減少開關(guān)損耗，驅(qū)動器IC專門用來優(yōu)化MOSFET的通/斷控制。 
　　該封裝采用無鉛高輻射類型小安裝面積封裝，符合英特爾公司提出的DrMOS封裝標(biāo)準。的封裝尺寸為8×8×0.95（mm），封裝內(nèi)采用的是無線銅板構(gòu)造（copper plate construction）內(nèi)部連接，可大幅度降低阻抗。占用了封裝背面大部分表面的引腳可以增加電流路徑，有助于處理電流和散熱問題。 
　　新型R2J20602NP第二代DrMOS兼容產(chǎn)品是專門為12V輸入的低電壓輸出應(yīng)用優(yōu)化的，例如，在f = 1MHz，Vin = 12V，和Vout = 1.3V的條件下，可實現(xiàn)業(yè)界約89%的效率水平。高速運行可使外部無源元件更小，元件數(shù)量更少，從而減小電源的尺寸。 
　　瑞薩科技計劃進一步開發(fā)滿足更低損耗的產(chǎn)品，擴展其高性能產(chǎn)品陣容。