Zetex高性能晶體管奠定便攜式應(yīng)用新的效能標(biāo)準(zhǔn)
出處:hugoliang 發(fā)布于:2007-11-19 10:12:17
新器件有助于減少元件數(shù)及提升功率密度,可在諸如線性充電、高端負(fù)載切換電路等各種便攜式應(yīng)用中作為極具成本效益的轉(zhuǎn)換開關(guān)使用。
Zetex亞太區(qū)銷售副總裁李錦華指出:“ZXTP25020CFF可確保提供7V的反向阻斷能力,省去了在線性充電器中串聯(lián)的肖特基二極管。相比占板面積相似的P溝道MOSFET,可節(jié)省一半的印刷電路板面積。P溝道MOSFET基于固有的漏極-源極體二極管,往往需要一個(gè)串聯(lián)的肖特基二極管。”

SOT23FF封裝提供的改善后的熱阻可達(dá)158ºC/W,在15 x 15毫米的印刷電路板面積上提供0.8W的額定功率,從而比標(biāo)準(zhǔn)SOT23解決方案更能充分提升功率密度。在50 x 50毫米等效印刷電路板空間的應(yīng)用中,其功率可增至1.96W 。
在高端開關(guān)、負(fù)載或隔離開關(guān)中,ZXTP19020DFF可在1A電流和20mA基極驅(qū)動(dòng)下,將電壓降至只有70mV的水平;或在 2A電流和40mA基極驅(qū)動(dòng)下,降至160mV的水平,等同于2.5 x 3毫米的印刷電路板占板面積70mΩ 的等效電阻。
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