飛思卡爾半導(dǎo)體日前在IEEE MTT-S國際微波大會上宣布推出功率的LDMOS射頻功率晶體管。

　　MRF6VP11KH 設(shè)備提供130 MHz、1 kW的脈沖射頻輸出功率，具有同類設(shè)備的排放效率和功率增益。

　　這種超高效率晶體管是飛思卡爾承諾為工業(yè)、科技和醫(yī)療（ISM）市場提供業(yè)界創(chuàng)新力的射頻功率解決方案的例證。該晶體管的操作電壓為50V，與雙極和MOSFET 設(shè)備相比，它具有明顯的優(yōu)勢。它能夠提供核磁共振成像(MRI)系統(tǒng)、CO2激光器、等離子體發(fā)生器和其他系統(tǒng)所需的功率。

　　以空前的功率水平實現(xiàn)高增益，這大大減少了所需的部件數(shù)量，與傳統(tǒng)設(shè)計相比，部件數(shù)量減少了70%。部件數(shù)量的大幅減少，使主板空間要求和制造復(fù)雜性隨之降低，終使放大器成本全面降低。

　　這種晶體管在10-150 MHz之間運行。它采用飛思卡爾第六代高電壓 (VHV6) LDMOS（橫向擴散金屬氧化物晶體管)技術(shù)，是飛思卡爾承諾向工業(yè)、科技和醫(yī)療（ISM）市場提供業(yè)界射頻功率解決方案的例證。該產(chǎn)品組合2006年6月公布的業(yè)界的50V VHV6 LDMOS設(shè)備系列，能夠滿足在頻率高達(dá)450 MHz的HF、VHF和UHF上操作ISM應(yīng)用所需的要求。

　　MRF6VP11KH帶來的好處已經(jīng)超越了它作為功能強大的商用LDMOS RF晶體管的地位。MRF6VP11KH提供65%的排放功率，這對任何類型的射頻功率設(shè)備都具有很高的價值。再加上高于27 dB 的增益，這樣的效率水平能夠大大減少放大器設(shè)計的復(fù)雜性、增益進(jìn)階、部件數(shù)量和電路板數(shù)量。

　　需要2 kW 脈沖輸出功率和45 dB增益的應(yīng)用通常需要1個15 W的預(yù)驅(qū)動器、2個15 W的 驅(qū)動器和8個終端放大器，此時還要使用MOSFET或雙極設(shè)備，總共包括3個進(jìn)階和11臺設(shè)備。但基于MRF6VP11KH的設(shè)計只需要3臺設(shè)備。1個10 W LDMOS驅(qū)動器和2個 MRF6VP11KH 終端放大器能夠產(chǎn)生同等的輸出功率和更高的50 dB增益。

　　此外，對于給定功率水平，MRF6VP11KH使用50V偏置電壓能夠產(chǎn)生更高終端阻抗，這讓設(shè)備更容易與放大器電路匹配。飛思卡爾符合RoHS的氣泡封裝熱阻測評低于0.13o C/W qJC，可提供有效的熱管理，并減少散熱片尺寸。MRF6VP11KH 帶有集成靜電放電 (ESD) 保護(hù)，因而除了在電子制造中看到的日常處理外，就不再需要特別的處理。

LDMOS技術(shù)

　　MRF6VP11KH 連接飛思卡爾2006年推出的業(yè)界的50V VHV6 LDMOS 設(shè)備系列。已經(jīng)投入生產(chǎn)的其它在10-450 MHz 運行的設(shè)備包括MRF6V2010N (10 W CW、24 dB增益和62%的效率)、MRF6V2150N (150 W CW、25 dB增益、68%的效率)和MRF6V2300N (300 W CW、25.5%和68%的效率)。

供貨情況

　　飛思卡爾現(xiàn)在已經(jīng)開始提供MRF6VP11KH樣品和支持的參考設(shè)計如需了解定價信息，請聯(lián)系飛思卡爾半導(dǎo)體、本地飛思卡爾銷售辦事處或飛思卡爾授權(quán)經(jīng)銷商。