目前，瑞薩科技公司宣布開發(fā)出R1FV04G13R和R1FV04G14R 4千兆位(Gbit) AG-AND*1型閃存存儲器，可以提供世界上快的10 M字節(jié)/秒編程速度，用于電影和類似應(yīng)用中的大容量數(shù)據(jù)的高速記錄。在2004年9月，將從日本開始樣品發(fā)貨，隨后在12月將開始批量生產(chǎn)。

　　R1FV04G13R和R1FV04G14R分別具有′8和′16位配置，可以提供下面的主要性能。

(1) 世界上快的4千兆位閃存存儲器（芯片）

　　作為實(shí)現(xiàn)了多級單元技術(shù)*2和高速度的第二階段AG-AND型閃存存儲器，R1FV04G13R和R1FV04G14R即使在4千兆位容量下，也能達(dá)到10 M字節(jié)/秒的快速編程速度。復(fù)制一個2小時的MPEG-4格式的電影，大約需要2分鐘就可以完成錄制。

(2) 小型芯片尺寸

　　由于使用90 nm工藝和改進(jìn)的AG-AND閃存存儲器單元設(shè)計，實(shí)現(xiàn)了世界上的存儲單元。與1千兆位AG-AND型閃存存儲器相比，每千兆位的芯片面積大約縮小了三分之二。

　　這些新產(chǎn)品的發(fā)布使得電影和音樂等大容量內(nèi)容的快速和傳送成為可能。相應(yīng)地，其應(yīng)用領(lǐng)域也從過去僅局限于數(shù)碼相機(jī)和個人計算機(jī)，現(xiàn)在可以擴(kuò)展到移動終端和數(shù)字家用設(shè)備，擴(kuò)大了使用閃存存儲器作為存儲介質(zhì)的系統(tǒng)解決方案的應(yīng)用范圍。

      < 產(chǎn)品背景 >

      高密度閃存存儲器作為一種橋接介質(zhì)，正在溶入我們的生活之中，尤其是在移動應(yīng)用方面，可以用作數(shù)碼相機(jī)和移動電話的圖像存儲存儲器、USB存儲器用作軟盤的替代物。下一代的閃存存儲卡需要更高的密度和更快的編程速度以處理快速數(shù)據(jù)，可以為大容量、高質(zhì)量的動畫數(shù)據(jù)如電影提供便攜性。

　　為滿足這些需要，目前瑞薩科技大量生產(chǎn)130 nm工藝1千兆位AG-AND型閃存存儲器，通過使用輔助門(AG)防止單元間的干擾，以及使用公司在常規(guī)AND型閃存領(lǐng)域開發(fā)的多級單元技術(shù)，可以提供更小的單元面積和高達(dá)10 M字節(jié)/秒的高編程速度。

　　為滿足更高密度的需要，同時又實(shí)現(xiàn)高速度，在2003年12月瑞薩科技開發(fā)出了第二代AG-AND型閃存存儲單元，通過改進(jìn)代AG-AND型閃存存儲器單元的設(shè)計和使用90 nm工藝，使存儲器單元面積大約縮小了三分之一?，F(xiàn)在瑞薩科技已經(jīng)完成了R1FV04G13R和R1FV04G14R的商用開發(fā)，它們是世界上速度快的4千兆位小型AG-AND型閃存存儲器，使用第二代存儲器單元。

< 產(chǎn)品詳情 >

　　使用R1FV04G13R和R1FV04G14R，可以在單個芯片上配置512M字節(jié)的記錄介質(zhì)，提供的存儲能力大約相當(dāng)于160分鐘的MPEG-4電影數(shù)據(jù)，大約等同于130個磁道的MP3音樂數(shù)據(jù)，或大約500張4兆象素的數(shù)碼相機(jī)相片。

R1FV04G13R和 R1FV04G14R的特性總結(jié)如下。

　　(1) 世界上編程速度快的4千兆位閃存存儲器（芯片），速度高達(dá)10 M字節(jié)/秒。

　　和1千兆位產(chǎn)品一樣，使用熱電子注入編程方法*3和在單個芯片內(nèi)同時進(jìn)行4組編程操作，通過使用多級單元技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了高達(dá)10 M字節(jié)/秒的編程速度。

　　(2) 小型芯片尺寸

      通過使用90 nm工藝和改進(jìn)的代AG-AND型閃存存儲器源－漏*4結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了世界上的0.016 μm2存儲單元面積。

　　與1千兆位 AG-AND型閃存存儲器相比，每千兆位芯片面積大約縮小了三分之二。

源－漏結(jié)構(gòu)的改進(jìn)：

　　使用了一種新結(jié)構(gòu)，在AG上加電壓時，硅襯底上形成的逆溫層*5構(gòu)成了存儲單元晶體管的源和漏。在常規(guī)的擴(kuò)散層*6結(jié)構(gòu)中，源和漏趨向于橫向擴(kuò)散，但是，由于逆溫層僅在AG下面的襯底的極淺區(qū)域形成，因此可以縮小存儲單元的面積。

　　(3) 支持加電讀出功能（2K字節(jié)大?。?

　　系統(tǒng)加電時，不需要命令或地址輸入，通過控制兩個控制線（/CE 針和/RE針）就可以讀出多達(dá)2K字節(jié)的數(shù)據(jù)。

　　(4) 在編程操作過程中具有高速緩沖存儲器編程功能，在擦除操作過程中，具有可編程數(shù)據(jù)輸入功能。

　　在器件編程過程中，可以對下一步2 K字節(jié)的數(shù)據(jù)進(jìn)行高速緩沖存儲器編程的功能，多可以進(jìn)行兩次（4 K字節(jié)）。這使得系統(tǒng)可以很容易地分配總線進(jìn)行下一個任務(wù)。在器件擦除過程中，可以進(jìn)行高達(dá)2 K字節(jié)的下一步數(shù)據(jù)輸入的功能。

　　(5) NAND接口

　　在命令級，R1FV04G13R和R1FV04G14R與NAND型閃存存儲器兼容，因此，對目前使用NAND型閃存存儲器的系統(tǒng)進(jìn)行很少的軟件修改，就可以使用它們。

　　電源|穩(wěn)壓器電壓是3.3 V，使用的封裝形式是48針TSOP 1型封裝，與1千兆位AG-AND型閃存存儲器的封裝尺寸相同。

　　未來的計劃包括為R1FV04G13R和R1FV04G14R開發(fā)控制器，面向高速閃存卡的應(yīng)用開發(fā)，以及開發(fā)2千兆位AG-AND型閃存存儲器產(chǎn)品和使用新型存儲單元的1.8 V低壓產(chǎn)品。

　　我們也計劃開發(fā)具有兩個層迭4千兆位AG-AND型閃存存儲器的大容量8千兆位產(chǎn)品，使用新的封裝形式（WFLGA: 超細(xì)節(jié)距柵格陣列），在2004年12月將開始高密度安裝。

< 開發(fā)支持五金|工具 >

　　從2004年10月起，可以購買功能描述模型和C 語言參考庫，作為使用這些閃存存儲器進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計的支持工具。

< 典型應(yīng)用 >

　　用作高端數(shù)碼相機(jī)和硅器件電影設(shè)備中的大容量存儲介質(zhì)。

　　在使用高速接口如USB2.0的移動終端中，作為大容量存儲介質(zhì)。

　　用于需要幾千兆字節(jié)存儲容量的硅器件音頻設(shè)備中。

　　硅器件便攜式閱讀器、數(shù)字電視廣播用圖像回放設(shè)備等。