Vishay推出新系列 P 溝道 MOSFET，這些器件建立了每單位面積導(dǎo)通電阻的新記錄。
基于新一代 TrenchFET 芯片技術(shù)的新型 Vishay Siliconix 器件采用 PowerPAK SC-70 封裝（2.05 mm×2.05 mm）時(shí)導(dǎo)通電阻額定值為 29 毫歐，采用標(biāo)準(zhǔn) SC-70 封裝（2.0 mm×2.1 mm）時(shí)為 80 毫歐，采用 SC-89 封裝（1.6 mm×1.6 mm）時(shí)為 130 毫歐。
　　與市場(chǎng)上僅次之的 MOSFET 相比，這些新型 Vishay Siliconix 器件的規(guī)格表現(xiàn)了高達(dá) 63% 的改進(jìn)。
這些新型 P 溝道 TrenchFET 將用于手機(jī)、MP3 播放器、PDA 及數(shù)碼相機(jī)等便攜式終端產(chǎn)品中的負(fù)載開(kāi)關(guān)、PA 開(kāi)關(guān)及電池開(kāi)關(guān)，在這些應(yīng)用中，它們的低傳導(dǎo)損失將有助于延長(zhǎng)電池的運(yùn)行時(shí)間，它們的微型封裝將節(jié)省寶貴的板面空間，從而實(shí)現(xiàn)更多功能。
　　在便攜式電子系統(tǒng)中，通過(guò)在顯示器或功率放大器等功能不用時(shí)關(guān)閉它們，或?qū)⑾到y(tǒng)從活動(dòng)模式切換到睡眠模式，P 溝道 MOSFET 執(zhí)行基本功能，從而節(jié)省電池使用時(shí)間。執(zhí)行這些切換任務(wù)時(shí)，這些新型 Vishay Siliconix 器件的功耗低于市場(chǎng)上的先前任何 P 溝道功率 MOSFET，因?yàn)樗鼈兂偷膶?dǎo)通電阻額定值會(huì)直接體現(xiàn)成更低的導(dǎo)電損失。
　　日前推出的 P 溝道 TrenchFET 包括具有 -12V、-20V 及 -30V 擊穿電壓額定值的單通道器件。這些器件采用 6 引腳 SC-89、標(biāo)準(zhǔn) SC-70 及 PowerPAK? SC-70 封裝，所有封裝均無(wú)鉛 (Pb)，符合當(dāng)今的環(huán)保要求。
器件規(guī)格表
*將后綴 T1-E3 添加到訂單
目前，這些新型 P 溝道 TrenchFET 功率 MOSFET 的樣品和量產(chǎn)批量均可提供，大宗訂單的供貨周期為 12～14 周。
詳情請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：https://www.vishay.com