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BSC080P03LS G

更新時間:2025-06-13 03:36:13

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9000
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深圳市賽美科科技有限公司
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16年老牌企業(yè) 原裝低價現(xiàn)貨

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BSC080P03LS G 概述

BSC080P03LS G是英飛凌公司生產的一款N溝道增強型功率MOSFET。它采用SuperSO8封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。這款MOSFET專為高效功率轉換應用而設計，在DC-DC轉換器、同步整流電路中表現(xiàn)出色。其低柵極電荷使得驅動更加容易，適用于對效率要求較高的電源管理電路。在實際應用中，由于該器件的低導通損耗特點，非常適合于筆記本電腦適配器、服務器電源等需要高能效比的場合。使用時應注意合理選擇柵極驅動電阻，避免因過快的開關速度引起振蕩。在PCB布局上，應盡量減小源極引腳的寄生電感，以充分發(fā)揮其低RDS(on)的優(yōu)勢。同時，要注意散熱設計，確保工作溫度在安全范圍內。

BSC080P03LS G 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
BSC080P03LS G
標準包裝
5,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
30A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
8 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
122.4nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
6140pF @ 15V
功率 - 最大
89W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerTDFN
供應商設備封裝
PG-TDSON-8（5.15x6.15）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
BSC080P03LS G-NDBSC080P03LS GTRSP000359664

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