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BSC080N03LS G

更新時間:2025-07-12 10:23:44

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BSC080N03LS G 概述

BSC080N03LS G是英飛凌（Infineon）公司生產(chǎn)的N溝道增強型功率MOSFET。它采用先進的OptiMOS技術(shù)，具有極低的導通電阻和柵極電荷，適用于高效的功率轉(zhuǎn)換應用。其最大漏源電壓為30V，連續(xù)漏極電流能力高達100A（在25°C條件下），使其非常適合于需要高效率和緊湊設計的應用場景。該MOSFET廣泛應用于同步整流、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及電池管理等場合。例如，在筆記本電腦和平板電腦的電源管理系統(tǒng)中，BSC080N03LS G可以有效提高能效并減少熱損耗。使用時需注意適當?shù)纳嵩O計以確保器件長期穩(wěn)定工作，推薦采用PCB銅箔作為主要散熱途徑，并合理布局以減小寄生電感對開關性能的影響。

BSC080N03LS G 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
BSC080N03LS G
標準包裝
5,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
53A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
8 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
21nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1700pF @ 15V
功率 - 最大
35W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerTDFN
供應商設備封裝
PG-TDSON-8（5.15x6.15）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
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