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STP30NM60ND

更新時間:2025-06-22 21:39:50

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STP30NM60ND外觀圖

STP30NM60ND

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 600V 25A TO-220

封裝:TO-220-3

STP30NM60ND 概述

STP30NM60ND是一款由意法半導體生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高效功率轉換應用。其工作電壓范圍為600V，最大連續(xù)漏極電流可達30A，在需要高電壓處理能力和較大電流承載能力的場合表現(xiàn)優(yōu)異。典型應用場景包括開關電源、電機驅動器、不間斷電源系統(tǒng)以及各類工業(yè)控制設備中的功率調節(jié)模塊。在實際使用中，應確保柵極驅動電路能夠提供足夠快的上升時間和足夠的驅動強度以保證MOSFET快速且完全地開啟與關閉，從而減少開關損耗并提高效率。設計時需注意散熱管理，建議配合合適的散熱器使用以維持穩(wěn)定工作溫度。

STP30NM60ND 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
FDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
25A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
130 毫歐 @ 12.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
100nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2800pF @ 50V
功率 - 最大
190W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
497-8448-5

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