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STP30NF20

更新時間:2025-07-13 12:08:54

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數(shù)量
廠商
封裝/批號
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一級代理進口原裝現(xiàn)貨、假一罰十價格合理

深圳市福田區(qū)超洋芯電子經(jīng)營部
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STP30NF20外觀圖

STP30NF20

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 200V 30A TO-220

封裝:TO-220-3

STP30NF20 概述

STP30NF20是意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。它采用先進的平面技術制造，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用。該器件的最大漏極-源極電壓（Vds）為200V，連續(xù)漏極電流（Id）可達30A，在柵極-源極電壓（Vgs）為10V時，典型導通電阻（Rds(on)）僅為0.1Ω。此MOSFET廣泛應用于電源轉換器、電機驅動、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）等需要高效電能管理的場合。在電路設計中，建議確保柵極驅動電壓足夠高以減小導通電阻，提高效率。同時，注意散熱設計，使用適當?shù)纳崞骰蛏崞瑏斫档凸ぷ鳒囟龋ＷC器件長期穩(wěn)定運行。對于高頻應用，應仔細選擇柵極電阻值以優(yōu)化開關速度和EMI性能。

STP30NF20 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STP30NF20 View All Specifications
標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
30A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
75 毫歐 @ 15A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
38nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1597pF @ 25V
功率 - 最大
125W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
497-5825-5

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STP30NF20推薦型號

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