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STP30NM30N

更新時間:2025-06-12 13:29:16

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STP30NM30N外觀圖

STP30NM30N

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 300V 30A TO-220

封裝:TO-220-3

STP30NM30N 概述

STP30NM30N是意法半導體(STMicroelectronics)生產的一款N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用DMOS技術制造，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效能的電源管理應用。其最大漏源電壓(Vds)為300V，在25℃環(huán)境溫度下連續(xù)漏極電流(Id)可達12A。典型應用場景包括開關電源、不間斷電源(UPS)、電機驅動以及各種工業(yè)控制設備中的高壓側開關電路。在設計中使用時，需注意其柵極驅動電壓要達到規(guī)定值以確保可靠開啟。同時，由于其較高的擊穿電壓特性，非常適合于需要承受瞬態(tài)高壓沖擊的場合。對于電路布局，應盡量減小源極引線電感以降低開關損耗。

STP30NM30N 規(guī)格參數

其它有關文件
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標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
300V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
30A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
90 毫歐 @ 15A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
75nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2500pF @ 50V
功率 - 最大
160W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
497-7521-5STP30NM30N-ND

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