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STGB20NB41LZT4

更新時間:2025-06-26 13:01:13

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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STGB20NB41LZT4外觀圖

STGB20NB41LZT4

STMicroelectronics IGBT - 單路

IGBT N-CHAN 40A CLAMP D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

STGB20NB41LZT4 概述

STGB20NB41LZT4是意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-252封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性。其最大漏極-源極電壓為410V，適用于高壓應用場合。典型應用場景包括開關(guān)電源、電機驅(qū)動、不間斷電源系統(tǒng)等。在電路設計中，建議注意柵極驅(qū)動電壓的選擇以確保可靠開啟與關(guān)閉MOSFET。同時，由于該型號耐壓較高，在實際使用時需保證足夠的散熱措施，避免因過熱導致性能下降或損壞。若用于高頻開關(guān)電路，還需優(yōu)化PCB布局以減少寄生參數(shù)影響。

STGB20NB41LZT4 規(guī)格參數(shù)

其它有關(guān)文件
STGB20NB41LZ View All Specifications
標準包裝
1
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
IGBT - 單路
系列
PowerMESH™
IGBT 類型
-
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
442V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
2V @ 4.5V，20A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
40A
功率 - 最大
200W
輸入類型
邏輯
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-4351-6

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STGB10NB40LZ
STGB10NB40LZT4
STGB10NB60ST4
SJA1000T

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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