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STGB18N40LZT4

更新時間:2025-05-29 11:34:17

供應商
產(chǎn)品型號
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詢價

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一級代理進口原裝現(xiàn)貨、假一罰十價格合理

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深圳市創(chuàng)勝達電子有限公司
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深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司
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STGB18N40LZT4外觀圖

STGB18N40LZT4

STMicroelectronics IGBT - 單路

IGBT 400V 30A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

STGB18N40LZT4 概述

STGB18N40LZT4是由意法半導體（STMicroelectronics）生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件設計用于高電壓和高效率的應用場景，其最大漏源電壓（Vds）可達400V，連續(xù)漏極電流（Id）為18A，適用于電源管理、電機驅(qū)動、不間斷電源（UPS）及工業(yè)自動化設備等領域。此MOSFET采用先進的制造工藝，確保低導通電阻（Rds(on)），有助于減少能量損耗并提升系統(tǒng)整體效率。它具有快速開關特性，適合高頻應用場合。封裝形式為TO-220，易于安裝與散熱設計。在實際應用中，建議合理選擇柵極驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關速度，并注意電路布局以減小寄生電感對性能的影響。使用時應關注最大工作電壓不要超過額定值，防止過壓損壞器件。

STGB18N40LZT4 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STGB18N40LZ View All Specifications
標準包裝
1
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
IGBT - 單路
系列
-
IGBT 類型
-
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
420V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
1.7V @ 4.5V，10A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
30A
功率 - 最大
150W
輸入類型
邏輯
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-7006-6

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