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STGB10NC60HDT4

更新時間:2025-06-14 03:00:53

供應商
產(chǎn)品型號
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詢價

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只做原裝更多數(shù)量在途訂單

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藍界科技（深圳）有限公司
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STGB10NC60HDT4外觀圖

STGB10NC60HDT4

STMicroelectronics IGBT - 單路

IGBT N-CH 600V 20A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

STGB10NC60HDT4 概述

STGB10NC60HDT4是意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET，適用于高壓應用。該器件采用TO-220AB封裝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，這使其在電源管理電路中表現(xiàn)出色。其最大漏源電壓為600V，適合用于工業(yè)級高壓電源轉(zhuǎn)換設備。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、電機驅(qū)動器、開關模式電源（SMPS）等。在實際應用中，需注意其散熱設計，以確保工作溫度在安全范圍內(nèi)。對于高頻開關應用，建議仔細設計PCB布局以減少寄生電感和噪聲干擾。此外，在選擇柵極驅(qū)動電阻時應謹慎，以優(yōu)化開關性能并避免過沖。此款MOSFET能夠幫助工程師設計高效、可靠的電力電子系統(tǒng)。

STGB10NC60HDT4 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STGB10NC60HD View All Specifications
標準包裝
1
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
IGBT - 單路
系列
PowerMESH™
IGBT 類型
-
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
2.5V @ 15V，5A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
20A
功率 - 最大
65W
輸入類型
標準型
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-6184-6

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