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STF33N60M2

更新時間:2025-07-10 14:28:01

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STF33N60M2 概述

STF33N60M2是由意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件設(shè)計用于高效能電源轉(zhuǎn)換應用，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性。其典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、開關(guān)模式電源（SMPS）以及電機驅(qū)動等需要高效率和高性能的場合。在實際應用中，建議使用適當?shù)臇艠O驅(qū)動電路以確保器件可靠開啟和關(guān)閉。為了優(yōu)化熱性能，應根據(jù)具體散熱需求選擇合適的散熱器或采用有效的PCB布局設(shè)計來提高散熱效果。當并聯(lián)多個MOSFET時，需注意電流均衡問題，可以通過調(diào)整柵極電阻值或者使用專門的電流均衡電路實現(xiàn)。此外，在處理高壓線路時，務必遵守安全規(guī)范，防止電擊危險。

STF33N60M2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
MDmesh? II Plus
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
26A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
125 毫歐 @ 13A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
45.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1781 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
35W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220FP
封裝/外殼
TO-220-3 整包

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