STF7N95K3
860000
TO220F/25+
原裝現(xiàn)貨庫存,支持訂貨可開發(fā)票。
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7300
2013+/23+
原裝現(xiàn)貨
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20000
8SON8TSSOP/2024+
17%原裝.深圳送貨
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5000
Tube/2015+
原裝正品,配單能手
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8000
SO8/2024+
原裝現(xiàn)貨,支持BOM配單
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89999
TO220/-
原裝現(xiàn)貨,可開票,提供賬期誠信服務(wù)
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3147
TO220F/23+
23+
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65286
-/21+
全新原裝現(xiàn)貨,長期供應(yīng),免費(fèi)送樣
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8735
NA//23+
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
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8000
SO8/25+
原裝現(xiàn)貨,支持BOM配單
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10000
TO220F/22+
原裝現(xiàn)貨
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9000
TO2203/2024+
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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20918
TO220FP/2024
原裝現(xiàn)貨上海庫存,歡迎查詢
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5000
TO2203 Full Pack/22+
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單來談,配套服務(wù)
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5000
TO220F/25+
國產(chǎn)品牌isc,替代進(jìn)口
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12100
TO220FP/20+
優(yōu)勢庫存全新原裝現(xiàn)貨熱賣
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8963
TO2203 Full Pack/22+
只做原裝,現(xiàn)貨庫存
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2501
TO220FP/16+
代理直銷,公司原裝現(xiàn)貨供應(yīng)
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15988
-/25+
助力國營二十余載,一站式BOM配單
現(xiàn)了導(dǎo)通損耗最小化,導(dǎo)通電阻rds(on)被降至1.35歐姆以下。新產(chǎn)品的單位芯片面積導(dǎo)通電阻rds(on)比前一代mosfet降低30%,設(shè)計(jì)人員 可以提高功率密度及能效。 同時(shí),因?yàn)檫_(dá)成低柵電荷量(qg)和低本征電容,這些新的mosfet還能提供優(yōu)異的開關(guān)性能,這個(gè)特性讓設(shè)計(jì)人員可以使用更高的開關(guān)頻率、尺寸更小的元器件,以進(jìn)一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet實(shí)現(xiàn)這些性能優(yōu)勢歸功于意法半導(dǎo)體的最新一代supermesh3?技術(shù)。新產(chǎn)品采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝:stf7n95k3采用 to-220fp封裝;stp7n95k3采用標(biāo)準(zhǔn)的to-220封裝;stw7n95k3采用to-247封裝。 隨后將推出的新產(chǎn)品是:950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出這些產(chǎn)品后,意法半導(dǎo)體還將在2009年推出后續(xù)產(chǎn)品,包括850v、950v、1050v和1200v系列產(chǎn)品。 stx7n95k3系列已投產(chǎn)。 來源:風(fēng)中的葉子
3系列還實(shí)現(xiàn)了導(dǎo)通損耗最小化,導(dǎo)通電阻rds(on)被降至1.35歐姆以下。新產(chǎn)品的單位芯片面積導(dǎo)通電阻rds(on)比前一代mosfet降低30%,設(shè)計(jì)人員可以提高功率密度及能效。 同時(shí),因?yàn)檫_(dá)成低柵電荷量(qg)和低本征電容,這些新的mosfet還能提供優(yōu)異的開關(guān)性能,這個(gè)特性讓設(shè)計(jì)人員可以使用更高的開關(guān)頻率、尺寸更小的元器件,以進(jìn)一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet實(shí)現(xiàn)這些性能優(yōu)勢歸功于意法半導(dǎo)體的最新一代supermesh3技術(shù)。新產(chǎn)品采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝:stf7n95k3采用 to-220fp封裝;stp7n95k3采用標(biāo)準(zhǔn)的to-220封裝;stw7n95k3采用to-247封裝。 隨后將推出的新產(chǎn)品是:950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出這些產(chǎn)品后,意法半導(dǎo)體還將在2009年推出后續(xù)產(chǎn)品,包括850v、950v、1050v和1200v系列產(chǎn)品。 stx7n95k3系列已投產(chǎn)。
系列還實(shí)現(xiàn)了導(dǎo)通損耗最小化,導(dǎo)通電阻rds(on)被降至1.35歐姆以下。新產(chǎn)品的單位芯片面積導(dǎo)通電阻rds(on)比前一代mosfet降低30%,設(shè)計(jì)人員可以提高功率密度及能效。 同時(shí),因?yàn)檫_(dá)成低柵電荷量(qg)和低本征電容,這些新的mosfet還能提供優(yōu)異的開關(guān)性能,這個(gè)特性讓設(shè)計(jì)人員可以使用更高的開關(guān)頻率、尺寸更小的元器件,以進(jìn)一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet實(shí)現(xiàn)這些性能優(yōu)勢歸功于意法半導(dǎo)體的最新一代supermesh3?技術(shù)。新產(chǎn)品采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝:stf7n95k3采用 to-220fp封裝;stp7n95k3采用標(biāo)準(zhǔn)的to-220封裝;stw7n95k3采用to-247封裝。 隨后將推出的新產(chǎn)品是:950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出這些產(chǎn)品后,意法半導(dǎo)體還將在2009年推出后續(xù)產(chǎn)品,包括850v、950v、1050v和1200v系列產(chǎn)品。 stx7n95k3系列已投產(chǎn)。
rds(on)被降至1.35歐姆以下。新產(chǎn)品的單位芯片面積導(dǎo)通電阻rds(on)比前一代mosfet降低30%,設(shè)計(jì)人員可 以提高功率密度及能效。 同時(shí),因?yàn)檫_(dá)成低柵電荷量(qg)和低本征電容,這些新的mosfet還能提供優(yōu)異的開關(guān)性能,這個(gè)特性讓設(shè)計(jì)人員可以使用更高的開關(guān)頻率、尺寸更小的元器件,以進(jìn)一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet實(shí)現(xiàn)這些性能優(yōu)勢歸功于意法半導(dǎo)體的最新一代supermesh3™技術(shù)。新產(chǎn)品采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝:stf7n95k3采用 to-220fp封裝;stp7n95k3采用標(biāo)準(zhǔn)的to-220封裝;stw7n95k3采用to-247封裝。 隨后將推出的新產(chǎn)品是:950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出這些產(chǎn)品后,意法半導(dǎo)體還將在2009年推出后續(xù)產(chǎn)品,包括850v、950v、1050v和1200v系列產(chǎn)品。 stx7n95k3系列已投產(chǎn)。
STF9NK60ZD STFM1000 STG3157CTR STG3P2M10N60B STG3P3M25N60 STGDL6NC60D STGP20NC60V STGW20NC60V STGW20NC60VD STGW30N120KD
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