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當(dāng)前位置:維庫電子市場網(wǎng)>IC>stf7n95k3 更新時(shí)間:2026-03-04 18:11:00

stf7n95k3供應(yīng)商優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨

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  • STF7N95K3

  • 5000

  • STMicroelectronics

  • TO2203 Full Pack/22+

  • 原裝現(xiàn)貨,實(shí)單來談,配套服務(wù)

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stf7n95k3價(jià)格行情

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歷史最低報(bào)價(jià):¥5.5000 歷史最高報(bào)價(jià):¥5.5000 歷史平均報(bào)價(jià):¥5.5000

stf7n95k3中文資料

  • ST推出全新系列功率MOSFET晶體管適用于設(shè)計(jì)液晶顯示器

    現(xiàn)了導(dǎo)通損耗最小化,導(dǎo)通電阻rds(on)被降至1.35歐姆以下。新產(chǎn)品的單位芯片面積導(dǎo)通電阻rds(on)比前一代mosfet降低30%,設(shè)計(jì)人員 可以提高功率密度及能效。 同時(shí),因?yàn)檫_(dá)成低柵電荷量(qg)和低本征電容,這些新的mosfet還能提供優(yōu)異的開關(guān)性能,這個(gè)特性讓設(shè)計(jì)人員可以使用更高的開關(guān)頻率、尺寸更小的元器件,以進(jìn)一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet實(shí)現(xiàn)這些性能優(yōu)勢歸功于意法半導(dǎo)體的最新一代supermesh3?技術(shù)。新產(chǎn)品采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝:stf7n95k3采用 to-220fp封裝;stp7n95k3采用標(biāo)準(zhǔn)的to-220封裝;stw7n95k3采用to-247封裝。 隨后將推出的新產(chǎn)品是:950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出這些產(chǎn)品后,意法半導(dǎo)體還將在2009年推出后續(xù)產(chǎn)品,包括850v、950v、1050v和1200v系列產(chǎn)品。 stx7n95k3系列已投產(chǎn)。 來源:風(fēng)中的葉子

  • ST推出全新系列功率MOSFET晶體管現(xiàn)已投產(chǎn)

    3系列還實(shí)現(xiàn)了導(dǎo)通損耗最小化,導(dǎo)通電阻rds(on)被降至1.35歐姆以下。新產(chǎn)品的單位芯片面積導(dǎo)通電阻rds(on)比前一代mosfet降低30%,設(shè)計(jì)人員可以提高功率密度及能效。 同時(shí),因?yàn)檫_(dá)成低柵電荷量(qg)和低本征電容,這些新的mosfet還能提供優(yōu)異的開關(guān)性能,這個(gè)特性讓設(shè)計(jì)人員可以使用更高的開關(guān)頻率、尺寸更小的元器件,以進(jìn)一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet實(shí)現(xiàn)這些性能優(yōu)勢歸功于意法半導(dǎo)體的最新一代supermesh3技術(shù)。新產(chǎn)品采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝:stf7n95k3采用 to-220fp封裝;stp7n95k3采用標(biāo)準(zhǔn)的to-220封裝;stw7n95k3采用to-247封裝。 隨后將推出的新產(chǎn)品是:950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出這些產(chǎn)品后,意法半導(dǎo)體還將在2009年推出后續(xù)產(chǎn)品,包括850v、950v、1050v和1200v系列產(chǎn)品。 stx7n95k3系列已投產(chǎn)。

  • 意法半導(dǎo)體創(chuàng)新高壓晶體管技術(shù)協(xié)助開發(fā)更可靠的高能效電源

    系列還實(shí)現(xiàn)了導(dǎo)通損耗最小化,導(dǎo)通電阻rds(on)被降至1.35歐姆以下。新產(chǎn)品的單位芯片面積導(dǎo)通電阻rds(on)比前一代mosfet降低30%,設(shè)計(jì)人員可以提高功率密度及能效。 同時(shí),因?yàn)檫_(dá)成低柵電荷量(qg)和低本征電容,這些新的mosfet還能提供優(yōu)異的開關(guān)性能,這個(gè)特性讓設(shè)計(jì)人員可以使用更高的開關(guān)頻率、尺寸更小的元器件,以進(jìn)一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet實(shí)現(xiàn)這些性能優(yōu)勢歸功于意法半導(dǎo)體的最新一代supermesh3?技術(shù)。新產(chǎn)品采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝:stf7n95k3采用 to-220fp封裝;stp7n95k3采用標(biāo)準(zhǔn)的to-220封裝;stw7n95k3采用to-247封裝。 隨后將推出的新產(chǎn)品是:950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出這些產(chǎn)品后,意法半導(dǎo)體還將在2009年推出后續(xù)產(chǎn)品,包括850v、950v、1050v和1200v系列產(chǎn)品。 stx7n95k3系列已投產(chǎn)。

  • 意法半導(dǎo)體推出全新系列功率MOSFET晶體管

    rds(on)被降至1.35歐姆以下。新產(chǎn)品的單位芯片面積導(dǎo)通電阻rds(on)比前一代mosfet降低30%,設(shè)計(jì)人員可 以提高功率密度及能效。 同時(shí),因?yàn)檫_(dá)成低柵電荷量(qg)和低本征電容,這些新的mosfet還能提供優(yōu)異的開關(guān)性能,這個(gè)特性讓設(shè)計(jì)人員可以使用更高的開關(guān)頻率、尺寸更小的元器件,以進(jìn)一步提高能效和功率密度。 stx7n95k3 mosfet實(shí)現(xiàn)這些性能優(yōu)勢歸功于意法半導(dǎo)體的最新一代supermesh3™技術(shù)。新產(chǎn)品采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝:stf7n95k3采用 to-220fp封裝;stp7n95k3采用標(biāo)準(zhǔn)的to-220封裝;stw7n95k3采用to-247封裝。 隨后將推出的新產(chǎn)品是:950v 的bvdss stw25n95k3、stp13n95k3、std5n95k3和 1200v 的bvdss stp6n120k3。在推出這些產(chǎn)品后,意法半導(dǎo)體還將在2009年推出后續(xù)產(chǎn)品,包括850v、950v、1050v和1200v系列產(chǎn)品。 stx7n95k3系列已投產(chǎn)。

stf7n95k3替代型號(hào)

STF3NK80Z STF25NM60N STF25NM50N STF202-22T1G STF202-22T1 STF16360EN STF12NM50ND STF12NM50N STEVAL-MKI010V1 STEL-2176

STF9NK60ZD STFM1000 STG3157CTR STG3P2M10N60B STG3P3M25N60 STGDL6NC60D STGP20NC60V STGW20NC60V STGW20NC60VD STGW30N120KD

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