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STF28N60M2

更新時間:2025-06-10 14:51:47

供應商
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詢價

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STF28N60M2 概述

STF28N60M2是由意法半導體生產(chǎn)的一款高壓N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh M2技術(shù)，具有低導通電阻和優(yōu)異的開關(guān)性能，適用于高頻開關(guān)電源應用。其最大漏源電壓（Vds）可達600V，連續(xù)漏極電流（Id）為28A，非常適合于高效率AC-DC轉(zhuǎn)換器、服務器電源、太陽能逆變器等場合。在具體應用中，建議關(guān)注柵極驅(qū)動電路的設(shè)計，確保足夠的驅(qū)動能力以實現(xiàn)快速開關(guān)，減少開關(guān)損耗。同時，在布局PCB時應盡量縮短源極和柵極走線，以降低寄生電感對MOSFET性能的影響。對于需要并聯(lián)多個MOSFET的應用場景，需注意均流設(shè)計，避免因電流不均衡導致的熱失控問題。此外，為提高系統(tǒng)可靠性，建議在MOSFET的柵極與源極之間添加一個適當值的電阻來抑制振蕩。

STF28N60M2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
MDmesh? II Plus
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
24A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
150 毫歐 @ 12A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
37 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1370 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
30W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
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封裝/外殼
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廣東微爾科技有限公司

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STF28N60M2
STF201-22
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STF202-22
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