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STF20NM65N

更新時間:2025-06-13 13:26:57

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深圳市金科創(chuàng)世紀(jì)電子有限公司
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STF20NM65N外觀圖

STF20NM65N

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 650V 15A TO-220FP

封裝:TO-220-3 整包

STF20NM65N 概述

20NM65N是意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET，采用TO-220封裝。該器件專為高效能應(yīng)用設(shè)計，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度特性，使其在電力電子設(shè)備中表現(xiàn)出色。其最大漏源電壓（Vds）為650V，連續(xù)漏極電流（Id）可達20A，在高溫條件下仍能保持穩(wěn)定性能。典型應(yīng)用場景包括不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、電機驅(qū)動以及高頻開關(guān)電源等。在這些應(yīng)用中，STF20NM65N能夠有效降低能量損耗并提高系統(tǒng)效率。使用時應(yīng)注意柵極驅(qū)動電路的設(shè)計，確保足夠的驅(qū)動電壓以實現(xiàn)最佳性能，并防止過壓損壞柵極氧化層。此外，在PCB布局上應(yīng)盡量減小寄生電感，以減少開關(guān)噪聲和電磁干擾。

STF20NM65N 規(guī)格參數(shù)

其它有關(guān)文件
STF20NM65N View All Specifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
15A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
270 毫歐 @ 7.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
44nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1280pF @ 50V
功率 - 最大
30W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
包裝
管件
其它名稱
497-11867-5

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廣東微爾科技有限公司

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STF20NM65N
STF201-22
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STF202
STF202-22
STM8L152C6T6

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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