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STD5N20

更新時間:2025-07-08 15:07:55

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STD5N20 概述

STD5N20是意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高效能電源轉換電路中。其最大漏源電壓為200V，能夠滿足大多數(shù)工業(yè)級應用需求。在實際應用場景中，STD5N20常用于DC-DC轉換器、電機驅動以及不間斷電源(UPS)系統(tǒng)等。由于其快速的開關特性，有助于減少能量損耗并提高整體效率。在設計過程中，需注意柵極驅動電壓的選擇，推薦使用10V以上的驅動電壓以確保最佳導通性能。此外，在布局PCB時應盡量縮短源極引腳到地的路徑，以降低寄生電感帶來的不利影響。對于初學者來說，可以參考官方提供的典型應用電路進行設計，如簡單的降壓轉換器電路。

STD5N20 規(guī)格參數(shù)

典型接通延遲時間
18 ns
典型柵極電荷@Vgs
19 nC V @ 10
典型輸入電容值@Vds
350 pF V @ 25
安裝類型
表面貼裝
寬度
6.2mm
封裝類型
DPAK
尺寸
6.6 x 6.2 x 2.4mm
引腳數(shù)目
3
最低工作溫度
-65 °C
最大功率耗散
45000 mW
最大柵源電壓
±20 V
最大漏源電壓
200 V
最大漏源電阻值
0.8
最大連續(xù)漏極電流
5 A
最高工作溫度
+150 °C
每片芯片元件數(shù)目
1
類別
功率 MOSFET
通道模式
增強
通道類型
N
配置
單
長度
6.6mm
高度
2.4mm

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STD5N20L
STD5N20LT4
STD5N20T4
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STD50NH02
STD50NH02L
SY6280AAC

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