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STD4N90K5

更新時間:2025-06-23 05:59:50

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柒號芯城電子商務(深圳)有限公
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STD4N90K5 概述

STD4N90K5是意法半導體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款高壓功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高頻開關(guān)電源應用。其最大漏源電壓Vds為900V，連續(xù)漏極電流Id為4A，在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定性能。這款MOSFET常用于電源轉(zhuǎn)換器、逆變器、電機驅(qū)動等需要高效功率管理的場合。在電路設計中，建議使用適當?shù)臇艠O驅(qū)動電阻來控制開關(guān)速度，并確保有足夠的散熱措施以維持器件工作溫度在安全范圍內(nèi)。對于高可靠性要求的應用，可考慮并聯(lián)多個MOSFET以分擔負載電流。

STD4N90K5 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
2,500現(xiàn)貨
系列
MDmesh?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
900 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
3A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
2.1 歐姆 @ 1A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 100μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
5.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
173 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
60W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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廣東微爾科技有限公司

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