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STD3NM60

更新時間:2025-05-16 06:07:37

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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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STD3NM60 概述

STD3NM60是意法半導體生產的一款N溝道功率MOSFET，采用DPAK封裝。該MOSFET具有低導通電阻特性，在柵極電壓為10V時，最大導通電阻僅為0.6Ω，有助于減少導通損耗。其漏源擊穿電壓為600V，適合在高壓應用中使用。典型的應用場景包括開關電源、照明控制以及電機驅動等需要高效功率轉換的領域。在電機驅動應用中，使用時需注意正確選擇柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度并減少EMI干擾。在電路設計時要確保柵極電壓足夠高以充分導通MOSFET，并合理布局PCB以改善散熱效果。

STD3NM60 規(guī)格參數

典型接通延遲時間
9 ns
典型柵極電荷@Vgs
10 nC V @ 10
典型輸入電容值@Vds
324 pF V @ 25
安裝類型
表面貼裝
寬度
6.2mm
封裝類型
DPAK
尺寸
6.6 x 6.2 x 2.4mm
引腳數目
3
最低工作溫度
-65 °C
最大功率耗散
42000 mW
最大柵源電壓
±30 V
最大漏源電壓
600 V
最大漏源電阻值
1.5
最大連續(xù)漏極電流
3 A
最高工作溫度
+150 °C
每片芯片元件數目
1
類別
功率 MOSFET
通道模式
增強
通道類型
N
配置
單
長度
6.6mm
高度
2.4mm

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