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STD3NM50T4

更新時間:2025-06-11 04:09:13

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廠商
封裝/批號
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詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，實單支持

深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司
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JSMSEMI/杰盛微
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深圳市富萊微科技有限公司
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只做原裝更多數(shù)量在途訂單

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STD3NM50T4外觀圖

STD3NM50T4

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 550V 3A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

STD3NM50T4 概述

STD3NM50T4是一款由意法半導體生產的N溝道MOSFET，專為高頻開關應用設計。它具有低柵極電荷和低反向傳輸電容，這有助于減少開關損耗并提高效率，適用于DC-DC轉換器、電源管理和電機驅動等應用。其最大漏源電壓（VDS）可達500V，連續(xù)漏極電流（ID）在25°C時為3A。該器件采用了SMD封裝形式中的DPAK，便于緊湊型電路板設計。在使用時需注意散熱管理，確保工作溫度處于安全范圍內以維持性能穩(wěn)定。由于其高壓特性，在實際操作中應嚴格遵守電氣安全規(guī)范。

STD3NM50T4 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
550V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3 歐姆 @ 1.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
5.5nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
140pF @ 25V
功率 - 最大
46W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)

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