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STD3NK100Z

更新時間:2025-06-22 10:06:56

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STD3NK100Z外觀圖

STD3NK100Z

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

STD3NK100Z 概述

STD3NK100Z是一款由STMicroelectronics生產的N溝道功率MOSFET，專為高壓應用設計。該器件的最大漏源電壓（Vds）可達1000V，適用于需要高耐壓能力的電源轉換電路。其導通電阻（Rds(on)）相對較低，有助于減少導通損耗，提高系統(tǒng)效率。STD3NK100Z適合用于開關電源、電機驅動、不間斷電源(UPS)和照明控制等應用中。封裝形式為TO-220，便于散熱管理且易于焊接和安裝。在實際應用中，建議確保柵極驅動電壓足夠以完全開啟MOSFET，并注意PCB布局以優(yōu)化散熱性能，避免過熱導致的可靠性問題。

STD3NK100Z 規(guī)格參數

其它有關文件
STD3NK100Z View All Specifications
標準包裝
1
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
SuperMESH™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6 歐姆 @ 1.25A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
18nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
601pF @ 25V
功率 - 最大
90W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-7967-6

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STD30NE06L
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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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