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STD30NF06T4

更新時間:2025-06-14 10:23:05

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STD30NF06T4外觀圖

STD30NF06T4

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 60V 28A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

STD30NF06T4 概述

STD30NF06T4是意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。它采用DPAK封裝，具有低導通電阻特性，在柵極電壓為10V時，最大導通電阻僅為0.037Ω。該器件的漏源擊穿電壓為60V，連續(xù)漏極電流可達30A，適用于各類高效功率轉換應用。常見于電源管理電路、電機驅動以及DC - DC轉換器中。在電機驅動應用中，需注意其散熱設計，以確保在大電流工作條件下穩(wěn)定運行。對于電源管理電路，要合理設置柵極驅動電路，保證MOSFET可靠開啟和關斷。

STD30NF06T4 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STD30NF06 View All Specifications
標準包裝
1
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
28A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
28 毫歐 @ 15A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
58nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1750pF @ 25V
功率 - 最大
70W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-6562-6

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STD3055L
STD30N03
STD30N10F7
STD30NE06
STD30NE06L
STD30NE06LT4
SMBJ40CA

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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